具有Pt扩散阻挡层的n-GaAs欧姆接触的可靠性

• 作者: 刘丹丹 叶镇 张屿 王勇 王晓华 高占琦
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: n型GaAs 欧姆接触 扩散阻挡层 Au/AuGe/Ni 比接触电阻率
• 年，卷（期）: 2014,（11）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 846-849,877
• 分类号: TN305.93
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.11.010

摘要

针对传统n-GaAs的Au/AuGe/Ni欧姆接触合金系统的缺点,提出了添加Pt扩散阻挡层的新型欧姆接触合金系统.扫描电子显微镜(SEM)和微束分析(EDS)测试显示,添加Pt扩散阻挡层的合金系统比没有Pt扩散阻挡层的合金系统的表面更加光滑,粗糙度降低.矩形传输模型(RTLM)测试显示,添加Pt阻挡层的比接触电阻率均匀性为85％,最低比接触电阻率为4.25×10-6Ω·cm2;而未添加Pt阻挡层的比接触电阻率均匀性为12％,最低比接触电阻率为3.86×10-6Ω·cm2,表明Pt扩散阻挡层的添加能够增加n-GaAs欧姆接触的重复性和均匀性,提高器件在使用过程中的热稳定性和可靠性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘丹丹	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	5	24	2.0	4.0
2	王勇	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	26	43	4.0	5.0
3	王晓华	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	54	156	7.0	9.0
4	叶镇	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	3	1	1.0	1.0
5	高占琦	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	3	1	1.0	1.0
6	张屿	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	2	1	1.0	1.0