超结VDMOS漂移区的几种制作工艺

• 作者: 赵圣哲 马万里
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 超结 垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS) 漂移区 外延 工艺
• 年，卷（期）: 2014,（9）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 689-693,702
• 分类号: TN305
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.09.011

摘要

超结VDMOS与常规VDMOS的主要差异在于漂移区,超结VDMOS是在常规VDMOS的n型漂移区中插入了p型区.此p型区具有较大的深度与宽度比,利用一次注入与驱入工艺无法实现,所以这种超结结构的制造工艺难度比常规VDMOS大.介绍了目前实现超结结构的多次外延与注入法、多次高能离子注入法、深沟槽填p型外延法及深沟槽侧壁倾斜注入法四种主要工艺方法,重点探讨了每种方法的优缺点、制造工艺难度和适用性.对各种方法的产业化前景进行了分析,认为深沟槽填p型外延法是最适宜产业化的工艺技术.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马万里		9	13	2.0	3.0
2	赵圣哲		5	6	1.0	2.0