在SixGe1-xC0.02衬底上直接生长石墨烯

• 作者: 彭猛 李民权 罗军 魏胜
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 锗硅碳(SixGe1-xC0.02) 化学气相沉积(CVD) 外延Ge 石墨烯 热稳定性
• 年，卷（期）: 2015,（7）
• 所属期刊栏目: 半导体材料
• 页码范围: 531-535,553
• 分类号: TN304.055
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.07.011

摘要

基于锗衬底在石墨烯生长方面的自限制生长和表面催化特性,以甲烷(CH4)和氢气(H2)为前驱体,采用化学气相沉积(CVD)法分别在锗硅碳(SixGe1-xC0.02)(x=0.15,0.25,0.73)衬底和外延锗上直接生长石墨烯.研究了不同Si组分、H2与CH4体积流量比和生长温度对石墨烯质量的影响.利用光学显微镜(OM)、扫描电子显微镜(SEM)以及喇曼光谱对衬底和生长的石墨烯进行了表征分析.喇曼光谱结果表明,Si0.5Ge0.85C0.02衬底在750℃下可以生长出石墨烯,调节气体H2与CH4的体积流量比为50∶0.5时,生长出的石墨烯是双层的.OM和SEM结果表明,锗硅碳衬底具有比锗更好的热稳定性,高温下不会升华.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李民权	安徽大学智能计算与信号处理重点实验室	75	324	10.0	14.0
3	彭猛	安徽大学智能计算与信号处理重点实验室	4	6	2.0	2.0
5	魏胜	安徽大学智能计算与信号处理重点实验室	1	0	0.0	0.0