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高性能X波段增强型凹栅Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMT
增强型
GaN MIS-HEMTs
电容-电压(C-V)
功率
增强型AlGaN/GaN槽栅HEMT
高电子迁移率晶体管
AlGaN/GaN
槽栅
阈值电压
AlGaN/GaN双异质结F注入增强型高电子迁移率晶体管?
双异质结
增强型器件
F等离子体
漏致势垒降低效应
六英寸Si基GaN功率电子材料及器件的制备与研究
6英寸Si衬底
AlGaN/GaN功率电子材料
CMOS工艺
GaNMIS-HEMT器件
常关型
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 微电子所等研制出国际先进的氮化镓增强型MIS-HEMT器件
来源期刊 电子元件与材料 学科
关键词
年,卷(期) 2015,(8) 所属期刊栏目 研究与试制
研究方向 页码范围 37-37
页数 1页 分类号
字数 303字 语种 中文
DOI
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1 《中科院网站》 5 1 1.0 1.0
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相关学者/机构
期刊影响力
电子元件与材料
月刊
1001-2028
51-1241/TN
大16开
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
62-36
1982
chi
出版文献量(篇)
5158
总下载数(次)
16
总被引数(次)
31758
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