SiC电力电子器件研究现状及新进展

• 作者: 刘佳佳 刘英坤 谭永亮
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: SiC 电力电子器件 宽禁带半导体器件 SiC IGBT 欧姆接触 SiC MOSFET
• 年，卷（期）: 2017,（10）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 744-753
• 页数: 10页
• 分类号: TN325.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2017.10.005

摘要

由于硅材料本身的限制,传统硅电力电子器件性能已经接近其极限,碳化硅(SiC)器件的高功率、高效率、耐高温、抗辐照等优势逐渐突显,成为电力电子器件一个新的发展方向.综述了SiC材料、SiC电力电子器件、SiC模块及关键工艺的研究现状,重点从材料、器件结构、制备工艺等方面阐述了SiC二极管、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、结晶型场效应晶体管(JFET)、双极结型晶体管(BJT)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)及模块的研究进展.概述了SiC材料、SiC电力电子器件及模块的商品化情况,最后对SiC材料及器件的发展趋势进行了展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘英坤	中国电子科技集团公司第十三研究所	30	183	8.0	12.0
2	刘佳佳	中国电子科技集团公司第十三研究所	2	14	1.0	2.0
3	谭永亮	中国电子科技集团公司第十三研究所	3	16	2.0	3.0