一种新型SiC SBD的高温反向恢复特性

• 作者: 何雨龙 张艺蒙 文奎 杨帅 林希贤 郝俊艳
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: SiC 肖特基势垒二极管 场限环 高温 反向恢复特性
• 年，卷（期）: 2017,（9）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 681-686
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.24
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2017.09.007

摘要

与传统硅基功率二极管相比,碳化硅肖特基势垒二极管(SiC SBD)可提高开关频率并大幅减小开关损耗,同时有更高的耐压范围.设计并制作了具有场限环结终端和Ti肖特基接触的1.2 kV/30 A SiC SBD器件,研究了该SiC SBD在100~300℃时的反向恢复特性.实验结果表明,温度每上升100℃,SiC SBD反向电压峰值增幅为5%左右,而反向恢复电流与反向恢复时间受温度影响不大;温度每升高50℃,反向恢复损耗功率峰值降低5%.实验结果表明该SiCSBD在高温下能够稳定工作,且具有良好的反向恢复特性,适用于卫星、航空和航天探测、石油以及地热钻井探测等需要大功率、耐高温和高速器件的领域.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨帅	西安电子科技大学微电子学院	4	13	2.0	3.0
2	张艺蒙	西安电子科技大学微电子学院	3	5	1.0	2.0
3	文奎	西安电子科技大学微电子学院	1	1	1.0	1.0
4	郝俊艳	西安电子科技大学微电子学院	1	1	1.0	1.0
5	何雨龙	西安电子科技大学微电子学院	1	1	1.0	1.0
6	林希贤	西安电子科技大学微电子学院	1	1	1.0	1.0