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摘要:
在超高真空条件下,通过脉冲激光沉积(PLD)技术制作了Er2O3/Al2O3/Si多层薄膜结构,原位条件下利用X射线光电子能谱(XPS)研究了Al2O3作为势垒层的Er2O3与Si界面的电子结构.XPS结果表明,Al2O3中Al的2p芯能级峰在低、高温退火前后没有变化;Er的4d芯能级峰来自于硅酸铒中的铒,并非全是本征氧化铒薄膜中的铒;衬底硅的芯能级峰在沉积Al2O 3时没有变化,说明Al2O3薄膜从沉积到退火不参与任何反应,与Si界面很稳定;在沉积Er2O3薄膜和退火过程中,有硅化物生成,表明Er2O3与Si的界面不太稳定,但随着Al2O3薄膜厚度的增加,其硅化物中硅的峰强减弱,含量减少,说明势垒层很好地起到了阻挡扩散的作用.
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内容分析
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关键词热度
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文献信息
篇名 原位XPS分析Al2O3作为势垒层的Er2O3/Si结构
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词 脉冲激光沉积(PLD)技术 Er2O3薄膜 Al2O3薄膜 X射线光电子能谱(XPS) 高k材料
年,卷(期) 2017,(5) 所属期刊栏目 半导体材料
研究方向 页码范围 394-399
页数 6页 分类号 TN304.21
字数 语种 中文
DOI 10.13290/j.cnki.bdtjs.2017.05.013
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 阿布都艾则孜·阿布来提 新疆大学物理科学与技术学院 13 24 2.0 4.0
2 亚森江·吾甫尔 新疆大学物理科学与技术学院 19 15 2.0 3.0
3 买买提热夏提·买买提 新疆大学物理科学与技术学院 33 54 4.0 6.0
4 高宝龙 新疆大学物理科学与技术学院 2 2 1.0 1.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
脉冲激光沉积(PLD)技术
Er2O3薄膜
Al2O3薄膜
X射线光电子能谱(XPS)
高k材料
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
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半导体技术
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1003-353X
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