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原位XPS分析Al2O3作为势垒层的Er2O3/Si结构
原位XPS分析Al2O3作为势垒层的Er2O3/Si结构
作者:
买买提热夏提·买买提
亚森江·吾甫尔
阿布都艾则孜·阿布来提
高宝龙
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
脉冲激光沉积(PLD)技术
Er2O3薄膜
Al2O3薄膜
X射线光电子能谱(XPS)
高k材料
摘要:
在超高真空条件下,通过脉冲激光沉积(PLD)技术制作了Er2O3/Al2O3/Si多层薄膜结构,原位条件下利用X射线光电子能谱(XPS)研究了Al2O3作为势垒层的Er2O3与Si界面的电子结构.XPS结果表明,Al2O3中Al的2p芯能级峰在低、高温退火前后没有变化;Er的4d芯能级峰来自于硅酸铒中的铒,并非全是本征氧化铒薄膜中的铒;衬底硅的芯能级峰在沉积Al2O 3时没有变化,说明Al2O3薄膜从沉积到退火不参与任何反应,与Si界面很稳定;在沉积Er2O3薄膜和退火过程中,有硅化物生成,表明Er2O3与Si的界面不太稳定,但随着Al2O3薄膜厚度的增加,其硅化物中硅的峰强减弱,含量减少,说明势垒层很好地起到了阻挡扩散的作用.
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文献信息
篇名
原位XPS分析Al2O3作为势垒层的Er2O3/Si结构
来源期刊
半导体技术
学科
工学
关键词
脉冲激光沉积(PLD)技术
Er2O3薄膜
Al2O3薄膜
X射线光电子能谱(XPS)
高k材料
年,卷(期)
2017,(5)
所属期刊栏目
半导体材料
研究方向
页码范围
394-399
页数
6页
分类号
TN304.21
字数
语种
中文
DOI
10.13290/j.cnki.bdtjs.2017.05.013
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
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G指数
1
阿布都艾则孜·阿布来提
新疆大学物理科学与技术学院
13
24
2.0
4.0
2
亚森江·吾甫尔
新疆大学物理科学与技术学院
19
15
2.0
3.0
3
买买提热夏提·买买提
新疆大学物理科学与技术学院
33
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4.0
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高宝龙
新疆大学物理科学与技术学院
2
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脉冲激光沉积(PLD)技术
Er2O3薄膜
Al2O3薄膜
X射线光电子能谱(XPS)
高k材料
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
开本:
大16开
出版地:
石家庄179信箱46分箱
邮发代号:
18-65
创刊时间:
1976
语种:
chi
出版文献量(篇)
5044
总下载数(次)
38
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