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不同直径张应变锗材料对光谱和晶体质量的影响
不同直径张应变锗材料对光谱和晶体质量的影响
作者:
孙钦钦
林抒毅
汪涵聪
谢文明
陈炳煌
黄诗浩
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
绝缘体上锗
张应变
锗浓缩
绝缘体上硅(SOI)
晶体质量
摘要:
绝缘体上张应变锗材料是通过能带工程提高锗材料光电性能得到的一种新型半导体材料,在微电子和光电子领域具有重要的应用前景.采用微电子技术中的图形加工方法以及利用锗浓缩的技术原理,在绝缘体上硅(SOI)材料上制备了绝缘体上张应变锗材料.喇曼与室温光致发光(PL)测试结果表明,不同圆形半径的绝缘体上锗材料张应变均为0.54%.对于绝缘体上张应变锗材料,应变使其发光红移的效果强于量子阱使其发生蓝移的效果,总体将使绝缘体上张应变锗材料的直接带发光峰位红移.同时0.54%张应变锗材料的直接带发光强度随着圆形半径的增大而减弱,这主要是因为圆形半径大的样品其晶体质量较差.该材料可进一步用于制备锗微电子和光电子器件.
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文献信息
篇名
不同直径张应变锗材料对光谱和晶体质量的影响
来源期刊
半导体技术
学科
工学
关键词
绝缘体上锗
张应变
锗浓缩
绝缘体上硅(SOI)
晶体质量
年,卷(期)
2017,(4)
所属期刊栏目
半导体材料
研究方向
页码范围
305-309
页数
5页
分类号
TN304.11
字数
语种
中文
DOI
10.13290/j.cnki.bdtjs.2017.04.011
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
陈炳煌
福建工程学院信息科学与工程学院
11
15
2.0
3.0
2
黄诗浩
福建工程学院信息科学与工程学院
4
3
1.0
1.0
3
孙钦钦
福建工程学院软件学院
3
3
1.0
1.0
4
谢文明
福建工程学院信息科学与工程学院
8
2
1.0
1.0
5
汪涵聪
福建工程学院信息科学与工程学院
3
0
0.0
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6
林抒毅
福建工程学院信息科学与工程学院
8
6
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参考文献(0)
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引证文献(0)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
绝缘体上锗
张应变
锗浓缩
绝缘体上硅(SOI)
晶体质量
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
开本:
大16开
出版地:
石家庄179信箱46分箱
邮发代号:
18-65
创刊时间:
1976
语种:
chi
出版文献量(篇)
5044
总下载数(次)
38
总被引数(次)
24788
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