Mg掺杂浓度对射频磁控溅射制备Ga2O3薄膜性质的影响

• 作者: 原安娟 崔敏 庄碧辉 李如永 段苹 王晓然 邓金祥 马艳彬
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: 射频磁控溅射 Mg掺杂Ga2O3薄膜 Mg掺杂浓度 光学带隙
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 页码范围: 68-72
• 页数: 5页
• 分类号: O484|TB43
• 语种: 中文
• DOI: 10.13385/j.cnki.vacuum.2018.06.15

摘要

本文使用射频磁控溅射法,采用双靶磁控溅射系统,通过Ga2O3和MgO两个靶位交替溅射的方法实现不同浓度Mg掺杂氧化镓薄膜的制备.结果发现随着Mg掺杂浓度的增加,薄膜的厚度逐渐减小且薄膜的结晶质量有所下降,光透过率无明显变化,但带隙宽度逐渐增加,可实现Ga2O3薄膜带隙宽度的连续可调,可调范围从4.96eV到5.21eV;光致发光光谱实验结果表明Mg的掺杂导致PL峰值发生蓝移现象,且在473nm附近出现一个新的发光峰.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	原安娟	北京工业大学应用数理学院	14	79	5.0	8.0
2	邓金祥	北京工业大学应用数理学院	45	150	7.0	9.0
3	崔敏	北京工业大学应用数理学院	16	44	5.0	5.0
4	李如永	北京工业大学应用数理学院	2	1	1.0	1.0
5	段苹	北京工业大学应用数理学院	16	50	5.0	6.0
6	王晓然	北京工业大学应用数理学院	1	0	0.0	0.0
7	马艳彬	北京工业大学应用数理学院	2	1	1.0	1.0
8	庄碧辉	北京工业大学应用数理学院	1	0	0.0	0.0