一种具有阶梯变掺杂基区的SiC光控晶体管

• 作者: 张颖颖
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 光控 电流增益 变掺杂 均匀掺杂
• 年，卷（期）: 2018,（8）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 598-602
• 页数: 5页
• 分类号: TN322.8|TN325.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2018.08.006

摘要

提出并研究了一种具有阶梯变掺杂基区的SiC光控晶体管.通过Silvaco TACD计算机仿真平台,对具有阶梯变掺杂基区的SiC光控晶体管与常规均匀掺杂基区的SiC光控晶体管的性能进行了对比分析.结果表明,阶梯变掺杂基区结构可以产生加速载流子输运的感生电场,缩短基区渡越时间,改善器件开通性能.该结构提高了SiC光控晶体管的电流增益并缩短开通时间,但同时会损失部分关断性能.仿真结果显示,当变掺杂区浓度梯度为4.5×1020 cm-4时,电流增益与开通时间改善幅度分别达到18％和32％,关断时间增加了约22％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张颖颖	河南科技大学应用工程学院	10	7	2.0	2.0