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摘要:
利用椭圆偏振光谱仪和原子力显微镜,研究了相同温度下不同退火气氛及压强处理对溶液旋涂法制备a-IGZO光学特性和薄膜微观结构的影响.实验结果表明,当退火气氛为O2时,压强由0.1 MPa增加到1.5 MPa,薄膜的光学带隙由3.23 eV增大到3.31 eV,表面粗糙层由6.77nm降低到4.77 nm.与N2气氛相比,1.5 MPa O2气氛下薄膜的光学带隙有所提高,表面粗糙度也有所降低.因此,在1.5 MPa O2气氛下,可以有效降低薄膜内部有机物的残留及缺陷,形成更加致密的非晶a-IGZO薄膜.
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文献信息
篇名 高压退火气氛对溶液法制备a-IGZO薄膜光学特性的影响
来源期刊 微电子学 学科 工学
关键词 退火气氛 椭圆偏振光谱 溶液法 a-IGZO薄膜
年,卷(期) 2018,(5) 所属期刊栏目 半导体器件与工艺
研究方向 页码范围 690-694
页数 5页 分类号 TN304.05
字数 语种 中文
DOI 10.13911/j.cnki.1004-3365.170533
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 钟传杰 江南大学物联网工程学院 53 90 5.0 7.0
2 汤猛 江南大学物联网工程学院 5 3 1.0 1.0
3 殷波 江南大学物联网工程学院 8 30 3.0 5.0
4 李勇男 江南大学物联网工程学院 6 8 2.0 2.0
5 向超 9 0 0.0 0.0
6 潘东 江南大学物联网工程学院 4 0 0.0 0.0
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研究主题发展历程
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退火气氛
椭圆偏振光谱
溶液法
a-IGZO薄膜
研究起点
研究来源
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期刊影响力
微电子学
双月刊
1004-3365
50-1090/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号24所
1971
chi
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