基于硅基板的高速传输线研究

• 作者: 李宝霞 杨菊 袁金焕
• 来源期刊: 电子工艺技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硅基板 传输线 S参数 测试
• 年，卷（期）: 2020,（1）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 1-4,56
• 页数: 5页
• 分类号: TN605
• 字数: 2307字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14176/j.issn.1001-3474.2020.01.001

摘要

基于高速I/O芯片和微波射频芯片对硅基板上互连线高速低损耗传输的需求,设计制备了分别在表层和内层传输的两种单端传输线结构,以S参数表征其传输特性,将设计仿真结果和测试结果进行了对比,其S11曲线吻合较好,但S21曲线差异明显,在2.5 GHz,表层传输线S21仿真结果和测试结果相差0.10 dB左右;内层传输线S21仿真结果和测试结果相差最大达1.35 dB.对工艺误差、介质电参数、金属粗糙度等引入传输损耗的因素进行了分析和仿真验证,认为精确控制PI层厚度等工艺参数,是提高传输线性能最关键的方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李宝霞		3	0	0.0	0.0
2	杨菊		2	0	0.0	0.0
3	袁金焕		2	0	0.0	0.0