一种高结终端效率1700 V/10 A SiC功率MOSFET

• 作者: 刘岳巍 张志国 杨瑞霞 王永维 邓小川
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: SiC MOSFET 场限环 击穿电压 阈值电压 高温反偏(HTRB)
• 年，卷（期）: 2020,（9）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 685-689,695
• 页数: 6页
• 分类号: TN386.1|TN304.24
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2020.09.005

摘要

设计了一种具有分组缓变间距场限环(MGM-FLR)结终端结构的SiC功率MOSFET,并基于国内现有的SiC电力电子器件工艺平台进行了流片,完成了1 700 V/10 A SiC功率MOSFET样品的制备.测试结果表明,MGM-FLR结构有效调制并优化了结终端区域的表面电场强度分布,SiC MOSFET漏电流为1μA时最大击穿电压达到2 400 V,为理想平行平面结击穿电压的91％.器件的比导通电阻约为36 mΩ·cm2,阈值电压为2.9V.对制备的SiC功率MOSFET进行了150℃、168 h的高温反偏(HTRB)可靠性测试评估,实验前后的击穿电压变化量不超过100 V,初步验证了MGM-FLR结终端结构的鲁棒性和可行性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓小川	电子科技大学电子科学与工程学院	11	258	5.0	11.0
2	杨瑞霞	河北工业大学电子信息工程学院	180	759	13.0	18.0
3	刘岳巍	河北工业大学电子信息工程学院	3	1	1.0	1.0
7	王永维	中国电子科技集团公司第十三研究所	5	7	2.0	2.0
8	张志国		1	0	0.0	0.0