GaN基紫外光电探测器的材料制备及器件优化研究进展

• 作者: 朱彦旭 李锜轩 谭张杨 李建伟 魏昭 王猜
• 来源期刊: 半导体技术
• 关键词: GaN 紫外光电探测器(UVPD) 器件优化 响应度 比探测率
• 年，卷（期）: 2021,（5）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望|Trends and Outlook
• 页码范围: 337-348
• 页数: 12页
• 分类号: TN36
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2021.05.001

摘要

紫外光在各领域应用广泛,制备高性能紫外光电探测器(UVPD)受到研究人员的重视.GaN作为宽禁带半导体材料,具有高电子迁移率、稳定的物理化学性质、高击穿电压、低暗电流和固有可见盲区的特点.GaN基UV PD具有制备工艺简单、体积小无需附加滤光系统、易于与其他材料集成等特点,表现出优异的紫外光探测性能.围绕GaN基UVPD,介绍了 GaN材料在制备工艺上的研究进展;详细论述了常见结构GaN基UV PD最新结构的优化对器件性能的影响;介绍了基于表面声波、表面等离激元和场效应晶体管集成的新型GaN基UV PD;最后,对GaN基UV PD的发展趋势进行了展望.