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半导体技术期刊
出版文献量（篇）
5044
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
石家庄179信箱46分箱
出版文献量（篇）
5044
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  • 1. 光纤激光的频谱组束技术
    作者： 占生宝 吴卓亮 楚兴春 胥杰 赵尚弘
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年12期
    页码:  1013-1017
    摘要： 频谱组束具有结构简单、便于控制等特点,是实现大功率、高质量光纤激光输出的有效手段.介绍了利用光栅、变换透镜等元件进行光纤激光频谱组束的基本结构和原理.综述了光纤激光频谱组束技术的最新进展情况...
  • 2. 基于Parylene的柔性微电极阵列微加工工艺研究
    作者： 任秋实 侯安州 倪鹤南 吴义伯 徐爱兰 惠春
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年12期
    页码:  1018-1020,1036
    摘要： 基底集成的柔性微电极阵列(MEAs)从一个全新的角度演绎了植入式神经系统,对神经进行电刺激并记录神经电信号.以一种新型聚合物材料聚对二甲苯(parylene)为基底,制备出了用于神经接口的柔...
  • 3. 半导体晶圆生产系统瓶颈识别与管理对策
    作者： 杨丽艳 钱省三
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年12期
    页码:  1021-1024
    摘要： 瓶颈资源决定着系统的产出,对瓶颈资源进行有效地管理对于资金密集的半导体晶圆生产系统具有重要的意义.由于系统波动的存在,系统瓶颈漂移现象无法避免,所以将多重入半导体晶圆生产系统瓶颈分为长期、中...
  • 4. SiGe HBT功率放大器基极偏置电阻的优化
    作者： 何莉剑 张万荣 张蔚 谢红云
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年12期
    页码:  1025-1027,1064
    摘要： 模拟了基极偏置电阻对功率放大器参数的影响.在兼顾效率、S参数、电压驻波比、功率增益及稳定性等特性的同时,得到了三阶交调信号幅度为最小值时的优化基极偏置电阻.模拟结果表明,一个优化的基极偏置电...
  • 5. 两种改进结构型BiCMOS模拟开关
    作者： 伊廷荣 成立 植万江 王振宇 王玲 祝俊 范汉华
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年12期
    页码:  1028-1031
    摘要： 为了改善其速度和电流驱动性能,设计了两例BiCMOS模拟电子开关电路.设计过程中在电路的关键部位配置有限的双极型晶体管(BJT),而在电路的主体部分设置CMOS器件.优选了元器件参数,并采取...
  • 6. 50V LDMOS漏电容非线性研究
    作者： 孙伟锋 朱少博 李海松 陆生礼
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年12期
    页码:  1032-1036
    摘要： 借助软件模拟从器件结构和工艺参数角度研究了LDMOS漏电容Cd的非线性和源漏电压Vds的关系,研究了漂移区注入剂量、高压场板长度、场氧化层厚度、栅氧化层厚度、沟道区注入剂量等五个结构工艺参数...
  • 7. 精确区分器件和互连寄生电阻电容的方法研究
    作者： 彭兴伟 黄其煜
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年12期
    页码:  1037-1041
    摘要： 随着器件线宽的不断缩小,在集成电路仿真中互连线延迟所占的比重逐渐变大,而MOSFET延迟所占的比重慢慢减小,这就意味着互连的寄生电阻电容对延迟的影响越来越大.研究了如何区分并计算器件部分和互...
  • 8. X射线在超晶格材料衍射中的相干性分析
    作者： 卜夏正 商耀辉 李若凡 杨瑞霞 武一宾 牛晨亮 王建峰 马永强
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年12期
    页码:  1042-1044,1081
    摘要： X射线双晶衍射仪系统中受参考晶体分辨率等因素的影响,X射线的相干长度不超过1 μm.X射线在异质外延晶体材料内衍射时,不超过相干长度范围内厚度外延层中的衍射波会产生相干叠加,否则,产生非相干...
  • 9. 一种多晶硅掩膜层湿法去除的改进研究
    作者： 张正荣 汪辉 詹扬
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年12期
    页码:  1045-1048
    摘要： 在集成电路制造工艺中,附着在Si片表面的杂质颗粒一直是影响晶圆良率的重大因素,其中在栅极多晶硅刻蚀后的氮氧化硅(SiON)掩膜层湿法去除工艺中,所使用的热磷酸(H3PO4)湿法刻蚀尤其容易产...
  • 10. 半导体单晶抛光片清洗工艺分析
    作者： 赵权
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年12期
    页码:  1049-1051
    摘要： 通过对Si,CaAs,Ge等半导体材料单晶抛光片清洗工艺技术的研究,分析得出了半导体材料单晶抛光片的清洗关键技术条件.首先用氧化性溶液将晶片表面氧化,然后用一定的方法将晶片表面的氧化物去除,...
  • 11. 一种新颖的UART自适应波特率发生器的设计
    作者： 万书芹 周建华 薛忠杰
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年12期
    页码:  1052-1055
    摘要： 实现了一种应用于UART中的自适应波特率发生器的设计.设计通过使用计数器和边沿检测器对串行线路上的一个低电平周期进行精确计数,然后经过一系列比较迭代,最终得出串行线路数据波特率.利用Quar...
  • 12. 基于CMOS工艺的低噪声高稳定性LDO的设计
    作者： 徐静萍 来新泉
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年12期
    页码:  1056-1059
    摘要： 介绍了一种LDO线性稳压器电路,给出了基本结构及其工作原理.重点分析了产生噪声的原因以及用旁路滤噪电路实现低噪声、用内部动态补偿电路实现高稳定性的电路结构和性能特点,针对输出短路或者负载电流...
  • 13. 基于单片FPGA的可扩展DVI发送器
    作者： 俞军 吴晓铁 程君侠
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年12期
    页码:  1060-1064
    摘要： 介绍了当前主流的DVI数字视频协议,特别分析了TMDS的链路结构、信号特性和编码算法.针对目前DVI设计中的不足,给出了一个符合DVI1.0规范的基于单片FPGA的可扩展视频发送器的实现方法...
  • 14. 射频收发系统中VCO的分析与设计
    作者： 吴秀龙 梅振飞 陈军宁
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年12期
    页码:  1065-1068
    摘要： 针对目前通讯系统中数据高传输率和低误码率对于系统中各部分的较高要求,设计了一种采用谐波滤除电阻技术降低相位噪声和功耗的交叉耦合互补结构的VCO(压控振荡器).采用Chartered 0.35...
  • 15. 一种基于RS485/RS422的多速收发器的设计
    作者： 应建华 赵江平 黄萌
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年12期
    页码:  1069-1072
    摘要： 设计了一种基于RS485/RS422通信协议的多速收发器.该收发器可选择三种通信速度,并对应不同的通信距离,具有失效保护、过温过热保护、热振荡保护、迟滞比较、限摆率、短路电流限制和通信编码纠...
  • 16. 用于微处理器时钟同步PLL的VCO设计
    作者： 敬小成 林玉树 蔡敏
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年12期
    页码:  1073-1076
    摘要： 研究了一种用于微处理器时钟同步PLL的高带宽低噪声的压控振荡器(VCO),该VCO采用了交叉耦合的电流饥饿型环形振荡器,通过改善其控制电压变换电路,大大拓宽了压控增益的线性范围,消除了振荡器...
  • 17. 一种新型CMOS电调谐第二代电流传输器(ECCⅡ)
    作者： 严国萍 宋树祥
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年12期
    页码:  1077-1081
    摘要： 提出了一种新型高线性宽调谐范围的CMOS电调谐第二代电流传输器(ECCⅡ),通过引入两个电流平方电路,使其电流增益能够通过直流偏置连续可调,0＜k≤2.并采用TSMC0.35 μm CMOS...
  • 18. 一种高精度CMOS带隙基准源的设计
    作者： 刘章发 尉理哲 路宁
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年12期
    页码:  1082-1085
    摘要： 分析了传统CMOS带隙基准源电路中三极管VBE电流随温度变化的二阶非线性效应,提出了一种对PTAT二阶温度进行补偿的方法,并在此基础上设计了一个高精度的带隙基准源电路.该电路采用SMIC 0...
  • 19. 宽输入共模范围电压比较器的设计
    作者： 吴毅强 吴金 李艳芳 汪少康 谢凌寒
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年12期
    页码:  1086-1089
    摘要： 当输入信号的共模值超过或者接近电源电压时,传统的电压比较器就会出现不足,因此有必要设计新的比较器来实现对高共模信号的检测.采用了共栅差分输入级,极大地增加了输入共模信号的范围.基于此输入级设...
  • 20. 基于扫描的VLSI全速测试方法
    作者： 周宇亮 焦鹏 马琪
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年12期
    页码:  1090-1093
    摘要： 当工艺进入到超深亚微米以下,传统的故障模型不再适用,必须对电路传输延迟引发的故障采用延迟故障模型进行全速测试.给出了常用的延迟故障模型,介绍了一种基于扫描的全速测试方法,并给出了全速测试中片...
  • 21. 集成电路芯片安全隐患检测技术
    作者： 罗宏伟
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年12期
    页码:  1094-1097
    摘要： 现代信息产业的基础是集成电路,集成电路的安全性决定了信息产业的安全,在集成电路芯片设计过程中考虑不周全或恶意植入不受使用方控制的程序或电路,是对现代信息产业安全的重大挑战.通过对集成电路芯片...
  • 22. 面向消费电子飞思卡尔发布模拟产品路线图
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年12期
    页码:  1098-1099
    摘要：
  • 23. 业界动态
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年12期
    页码:  1099-1100
    摘要：
  • 24. 综合新闻
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年12期
    页码:  1100-1101
    摘要：
  • 25. 《半导体技术》稿约
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年12期
    页码:  插1
    摘要：

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

该刊被以下数据库收录
期刊荣誉
1. 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
2. 中国科技论文统计用刊
3. 中文核心期刊

半导体技术统计分析

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