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半导体技术期刊
出版文献量（篇）
5044
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
石家庄179信箱46分箱
出版文献量（篇）
5044
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目录
  • 1. 四探针和EIT测试微区薄层电阻的研究与进展
    作者： 刘新福 田建来 谢辉 贾科进 闫德立
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年5期
    页码:  369-373
    摘要： 论述了一种测试大型硅片电阻率均匀性的新方法--电阻抗成像技术(EIT).给出了四探针的基本原理,指出EIT的基本思想来源于四探针技术.对EIT的基本原理和重建算法在理论上进行了描述,提出可将...
  • 2. 系统级封装(SIP)技术及其应用前景
    作者： 严雪萍 刘德林 张慧 徐志春 成立 李俊 韩庆福
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年5期
    页码:  374-377,386
    摘要： 随着各种半导体新工艺与新材料水平的不断提高,先进的封装技术正在迅速地发展.本文综述了先进的系统级封装(SIP)技术的概念及其进展情况;并举例说明了它的应用情况,同时指出,SIP是IC产业链中...
  • 3. 铜互连线内电流拥挤效应的影响
    作者： 任韬 徐洁晶 汪辉 翁妍
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年5期
    页码:  378-381
    摘要： 提出了一种新的测试结构(S结构),通过实验、理论推导和有限元分析,研究了铜与TaN扩散阻挡层界面的电流拥挤效应对电迁移致质量输运特性的影响.实验和有限元分析表明,铜互连线内由于电流拥挤效应的...
  • 4. ULSI制造中铜CMP抛光液的技术分析
    作者： 康仁科 李庆忠 郭东明
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年5期
    页码:  382-386
    摘要： 对ULSI制造中的层间介质化学机械抛光的发展趋势和要求进行了讨论,分析了铜化学机械抛光的材料去除过程、影响因素和抛光液的重要作用,讨论了酸性和碱性两种铜抛光液的组成和一些组分的功能,对研究铜...
  • 5. 有机添加剂对铜互连线脉冲电镀的影响
    作者： 张卫 张立锋 徐赛生 曾磊 汪礼康 陈敏娜
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年5期
    页码:  387-390
    摘要： 针对集成电路电镀铜技术,研究了三种有机添加剂(加速剂、抑制剂和平整剂)对铜互连线脉冲电镀的影响及其机制.采用电化学方法LCV(线性循环伏安法)和CP(计时电势法),分析了不同添加剂浓度下电镀...
  • 6. ARIMA模型在半导体产品需求预测上的应用
    作者： 任建华 钮轶君 钱省三
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年5期
    页码:  391-393
    摘要： 半导体市场需求的动态变化给半导体制造业的生产决策带来了很大的不确定性.以我国某半导体制造企业的历史订单数据为例,利用SPSS软件的时间序列分析模块建立ARIMA模型进行半导体产品的需求预测....
  • 7. SiGe HBT高频噪声特性研究
    作者： 刘道广 张万荣 张正元 张静 徐学良 沙永萍 王健安 谢红云 邱建军 金冬月 陈光炳 高攀
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年5期
    页码:  394-396,405
    摘要： 对SiGe HBT的高频噪声进行了模拟.频率f、载流子正向延迟时间τF、集电极电流等因素都对高频噪声有影响.当频率高于高频转角频率时,最小噪声系数NFmin随着频率的增大而线性增大,而不是与...
  • 8. 基于应变Si/SiGe的CMOS电特性模拟研究
    作者： 任冬玲 张鹤鸣 王伟 舒斌
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年5期
    页码:  397-401
    摘要： 提出了一种应变Si/SiGe异质结CMOS结构,采用张应变Si作n-MOSFET沟道,压应变SiGe作p-MOSFET沟道,n-MOSFET与p-MOSFET采用垂直层叠结构,二者共用一个多...
  • 9. 微波功率LDMOS的工艺仿真及研制
    作者： 冯彬 刘英坤 孙艳玲 段雪 董四华
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年5期
    页码:  402-405
    摘要： 利用工艺仿真软件Tsuprem 4,针对氧化、退火等工艺进行仿真及校准,并据此对LDMOSFET进行了设计及工艺仿真.结合Medici得到LDMOSFET的结构参数以及相应电学参数,与研制结...
  • 10. 长波长锗硅光电探测器的材料生长研究
    作者： 张宇 李俊一 李欢 牛萍娟 王伟
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年5期
    页码:  406-409
    摘要： 介绍了应变SiGe层的特性,包括SiGe应变层临界厚度与Ge组分的关系,能带变窄,折射率增加以及应变SiGe层的亚稳态特性.然后从材料生长方面入手,提出了4种改善长波长锗硅光电探测器性能的方...
  • 11. PIN二极管用硅外延材料
    作者： 徐永宽 殷海丰 薛兵
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年5期
    页码:  410-412
    摘要： 介绍了研制适用于大功率PIN二极管的硅外延材料的工艺过程,采用CVD化学气相外延生长技术,对硅源流量与掺杂剂浓度的精确控制,实现了快速外延生长和高浓度掺杂.通过大量实验,利用4.0 μm/m...
  • 12. 微通道板清洗技术
    作者： 严诚 曾桂林 王益军
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年5期
    页码:  413-416
    摘要： 基于微通道板材料和结构特性,分析了微通道板工艺制造过程中表面污染物的来源,并对其成分进行分析和归类.针对污染物的不同类型和形态,提出了相应的物理、化学清洗方法,主要包括:有机溶剂清洗、清洗液...
  • 13. CMOS低功耗窄带低噪声放大器优化设计
    作者： 兰家隆 毛晓峰 黄朝刚
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年5期
    页码:  417-421
    摘要： 阐述了一个采用Chartered 0.35 μm CMOS工艺实现的应用于315 MHz幅度键控接收芯片的低功耗窄带低噪声放大器.该电路主要采用限定功耗下同时优化噪声性能和输入匹配的技术进行...
  • 14. RTD-HBT高速低功耗环形振荡器的分析
    作者： 刘宏伟 杨广华 毛陆虹 牛萍娟 王小丽 郭维廉
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年5期
    页码:  422-425,450
    摘要： RTD与HBT是高频高速器件,共振隧穿二极管-异质结晶体管(RTD-HBT)环形振荡器有很好的应用前景.详细介绍了RTD-HBT高速低功耗环形振荡器的工作原理,建立了RTD,HBT及RTD-...
  • 15. 基于1553B总线协议IP核的设计
    作者： 梅明 颜学龙
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年5期
    页码:  426-429
    摘要： 简单介绍了美国军用数据总线标准MIL-STD-1553B总线协议,给出了通过自顶向下和模块化设计方法,使用VHDL硬件描述语言设计其IP核过程.在充分研究和理解1553B总线协议和参考DDC...
  • 16. 基于AOA的广义阻抗变换器及其应用
    作者： 李永安
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年5期
    页码:  430-432
    摘要： 讨论了由GIC组成的正阻抗变换器、模拟电感器、频变负阻器、电容-电阻变换器,并用模拟电感组成二阶带通滤波器,计算机仿真与理论分析一致.该电路不仅具有速度高、频率高、电压低及功耗小等电流模电路...
  • 17. 基于∑-△ ADC的低功耗运算放大器设计
    作者： 王建设 艾万朋 黄鲁
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年5期
    页码:  433-435
    摘要： 介绍了一种用于∑-△ADC的低功耗运算放大器电路.该电路采用全差分折叠-共源共栅结构,采用0.35 μm CMOS工艺实现,工作于3 V电源电压.仿真结果表明,该电路的动态范围为80 dB、...
  • 18. VDMOS器件贴片工艺中气泡的形成机制与影响
    作者： 何伦文 张卫 汪礼康 潘少辉
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年5期
    页码:  436-439
    摘要： 功率MOS管的封装贴片工艺会在贴片层中引入气泡,从而严重降低器件的机械性能、热性能和电学性能.本研究就VDMOS管D-PAK封装模式,给出了贴片工艺中气泡的产生机制及其影响,并利用FEA方法...
  • 19. 密封胶粘剂在高可靠微电子封装中的应用
    作者： 孙瑞花 邵崇俭
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年5期
    页码:  440-442
    摘要： 阐述了高可靠微电子封装对密封胶粘剂的性能要求.通过试验优选出一种能实现高可靠、高气密粘接封帽的环氧树脂胶粘剂,用该胶粘剂封帽的外壳通过了严苛的可靠性考核.详细介绍了胶粘封帽工艺过程,并对影响...
  • 20. BGA基板切割过程中唇缘效应的产生及改进措施
    作者： 南俊马 徐可为 憨勇 袁洁 赵宁
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年5期
    页码:  443-446
    摘要： 采用两种不同结合剂硬度的金刚石刀片切割同一种BGA基板,通过对刀片刃口形貌的变化以及切割断面的分析,探讨了唇缘效应产生的原因.结果表明,在金刚石浓度、粒度及切割工艺等条件相同的情况下,刀片结...
  • 21. 快速测试方案在半导体测试中的应用
    作者： 李木子
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年5期
    页码:  447-450
    摘要： 随着半导体行业的发展,芯片的设计和功能变得越来越复杂,这样也就需要更多的测试项来筛选器件和检测功能.目前有许多方案致力于解决这一问题.本文讨论介绍了一种半导体测试行业中的快速测试方法,阐述了...
  • 22. 微波功率器件动态试验系统
    作者： 冯敬东 张晓明 来萍 范国华 荣炳麟 金毓铨
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年5期
    页码:  451-454
    摘要： 为开展微波功率器件动态加速寿命试验,建立了一套由计算机实时监测的微波动态试验系统.采用微带电路剥离以及加热部件与其他电路的隔热连接等方法,实现了对每个器件进行独立的内腔式加热,从而单独提高受...
  • 23. 高灵敏度传感器实现动作识别,满足消费电子市场需求
    作者： 飞思卡尔半导体(中国)有限公司
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年5期
    页码:  455-456
    摘要：
  • 24. 浅析设计公司的成功之路
    作者： 吴波
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年5期
    页码:  457
    摘要：
  • 25. AE耕耘中国市场服务中国客户(采访1)/SEZ公司新推出单晶圆湿法处理技术3(采访2)
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年5期
    页码:  458
    摘要：
  • 26. 综合新闻
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年5期
    页码:  459-460
    摘要：
  • 27. 《半导体技术》稿约
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年5期
    页码:  插1
    摘要：

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

该刊被以下数据库收录
期刊荣誉
1. 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
2. 中国科技论文统计用刊
3. 中文核心期刊

半导体技术统计分析

被引趋势
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(/年)
学科分布
研究主题
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