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半导体技术2009年出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年4期页码:摘要： 存储中Si片起"雾"是Si片存储面临的最大挑战,"雾"缺陷是可见或可印刷的晶体结构,从污染生长而来,已是困扰半导体业界长达10年以上的大问题.半导体制造商们至今还未能提出良好的解决方案.所以...
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92. 谐振式微光学陀螺系统设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年4期页码:摘要： 集成化、微型化是谐振式光学陀螺的发展趋势之一.通过分析在一定激光器线宽情况下,谐振式微光学陀螺(R-MOG)系统极限灵敏度和环形谐振腔光路中各主要参数之间的关系,得到环形谐振腔耦合系数与环形...
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93. 铁电阴极电子发射的动态特性分析刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年4期页码:摘要： 主要研究了铁电阴极电子发射的动态特性,通过对收集到的激励电压和发射电流波形进行幅频特性和相频特性分析,得到电子发射的敏感频率区域为0.65～2 MHz.运用电子发射的极化反转机理,在以上动态...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年4期页码:摘要： 通过理论计算,对VDMOS器件的外延层厚度和掺杂浓度进行了优化设计,探讨用于VDMOS的外延工艺,讨论了外延层厚度和过渡区的测试方法,提出了有效外延层厚度是影响击穿电压的最关键参数,应用此参...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年4期页码:摘要： 化合物半导体的组分与膜厚等是光电子器件工艺监控中的关键工艺参数,因为这些参数直接影响着器件的光学和电学等性能.介绍了通过分光光度法和Forouhi-Bloomer离散方程相结合的方法测定化合...
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96. 哈特曼像差自动测量系统设计与开发刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年4期页码:摘要： 研究了哈特曼物镜自动测量的系统结构,包括哈特曼球差测量的光学系统、面阵CCD图像采集系统和光栅位移测量系统.深入讨论了数字图像处理、测量与识别的软件设计方案,进行实验与误差分析.关于数字图像...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年4期页码:摘要： 全自动晶片焊线机是晶片生产的关键设备之一,其视觉系统是设备的核心技术所在.视觉系统决定了晶片的检测和定位精度.介绍了基于机器视觉的全自动晶片焊线机的专用芯片视觉检测系统的工作原理和设计结构,...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年4期页码:摘要： 对传输线脉冲发生器电压探测中的振荡问题进行了研究.通过减小电压探头的寄生电感克服了振铃问题.通过缩短电压探头和待测器件之间的传输段传输线长度降低了探头处实际承受的上冲电压,从而有效地抑制了传...
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99. 信息刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年4期页码:摘要：
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100. 超高频RFID读写器基带处理器的设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年4期页码:摘要： 为实现单芯片的超高频读写器,提出了一种读写器基带处理器的设计方案.设计采用了微处理器IP核在AFS600上搭建一个读写器数字基带,在原本不支持调试模式的微处理器上扩展了片上调试功能,为集成开...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年4期页码:摘要： 在全数字锁相环中数控振荡器和由∑△调制器所构成的系统是一个规模很大的电路,采用传统的电路级描述难以在现有的EDA工具中仿真.为此提出了一种基于Verilog-A语言的行为级建模方法来对系统进...
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102. 固态脉冲功率放大器脉冲波形顶降的研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年4期页码:摘要： 针对固态脉冲功率放大器存在脉冲波形顶降问题,从功率放大器的基本原理构成出发,对引起脉冲顶降的三个主要方面进行了分析讨论:GaAs晶体管脉冲调制开关电路、Si微波脉冲功率晶体管自身项降以及功率...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年4期页码:摘要： 在国内外湿度传感器研究的基础上,基于Si CMOS工艺研制出了以聚酰亚胺(PI)为感湿介质的电容型相对湿度传感器.并对其结构进行了理论分析,仔细确定了湿度传感器的工艺步骤和版图设计.对其测量...
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104. 人工耳蜗专用植入刺激芯片设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年4期页码:摘要： 设计了一个人工耳蜗专用植入刺激芯片.芯片为17个刺激电极提供精确的电流脉冲刺激,同时具有一定的数据检错能力,可以满足各种不同的语音编码算法的需要.芯片为一数模混合电路,采用0.35 μm嵌入...
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105. 红外遥控发/收数据通信系统的EDA实现刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年4期页码:摘要： 分析了红外线遥控系统的数据编码和传输机制;设计了基于红外线的数据发送和接收系统;用VerilogHDL语言设计了信号编/解码核心电路,外围电路包括红外发/收器件、晶振、显示电路等;在Mode...
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106. 具有数据中继功能的三相数字电表设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年4期页码:摘要： 设计了一种具有数据中继功能的三相数字电表.该电表巧妙地引入了无线收发器nRF905,结合特定多功能电表通信协议,有效解决了自动抄表系统中485抄表通信成功率低、不能即连即通的问题.电表可以在...
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107. 技术产品专栏刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年4期页码:摘要：
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108. 产业新闻刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年4期页码:摘要：
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109. 阳极氧化铝模板应用研究新进展刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年5期页码:摘要： 论述了AAO模板以其独特的六角有序纳米结构,组装1-D材料取得的成功,指出目前关注重点为AAO的应用研究.指出由于AAO模板易脆、存在绝缘阻挡层等缺点,其应用研究进展不大.阐述了为克服上述困...
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110. 具有新型电荷产生层的叠层有机发光器件刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年5期页码:摘要： 研究了采用薄层WO3作为叠层有机发光器件电荷产生层时的性能并对其厚度进行了优化,器件的电荷产生层由Li掺杂的电子注入层和高透明的WO3组成.研究表明,薄层WO3具有很高的透明度,并能有效地产...
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111. 基于斩波调制的带隙基准电压源的设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年5期页码:摘要： 为提高白光LED驱动的输出精度,采用了一种基于斩波调制技术的带隙基准源.使用斩波技术,减小了带隙基准源中运放的失调电压所引起的误差,提高了基准源的精度.设计了有启动电路的偏置以确保基准电路能...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年5期页码:摘要： 描述了用于制备Si LED发光器件的Si材料的一些特性和Si发光器件的发光原理,分析了影响Si发光器件发光性能的主要因素.介绍了采用新加坡Charter公司的0.35 μm标准CMOS工艺最...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年5期页码:摘要： 氧化锢锡(ITO)对可见光具有高透过率及高电导率,常当作透明电极被广泛应用于发光元件上.使用合金的热处理方式,探讨了ITO经热处理后对刻蚀的影响.用电子束蒸镀机在GaN外延片上蒸镀一层ITO...
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114. SiN薄膜三阶非线性增强的研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年5期页码:摘要： 采用射频磁控反应溅射法结合热退火处理技术制备纳米硅镶嵌氮化硅(ncSi-SiNx)复合薄膜.通过X射线能谱(EDS)、X射线衍射仪(XRD)的测定,对薄膜进行了结构及所包含硅晶粒大小的表征....
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115. 半导体激光器单管准直实验研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年5期页码:摘要： 利用高斯光束的ABCD传输矩阵理论分析了LD与自聚焦透镜之间的距离与出射光束远场光斑尺寸之间的关系.通过理论计算可以方便地得到最佳距离,获得较高亮度输出,并进行了实验验证.对平面自聚焦透镜、...
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116. 主动锁模光纤激光器的锁相稳定方法刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年5期页码:摘要： 对主动锁模光纤激光器的锁相环路进行了改进,提出一种通过使用"变带宽锁相环"来改善主动锁模光纤激光器稳定性的方法.该方法主要依据信号误差电压实时控制环路的带宽,使环路带宽随锁定信号的频率差动态...
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117. 高出光率GaN基光子晶体LED的研究进展刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年5期页码:摘要： 在LED上制作光子晶体结构将会提高LED的出光效率,这使得LED应用范围更广.主要从不同的光子晶体加工工艺出发,总结近年来GaN基光子晶体LED的研究进展,介绍新的工艺和实验结果.通过比较发...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年5期页码:摘要： 激光焊接技术广泛应用于光电子封装领域,它能形成很强的结合力,显示出无可比拟的优越性.但激光脉冲形状设置仍存在一定缺陷.研究了用于CATV的DFB激光器同轴封装激光焊接技术,利用Nd:YAG激...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年5期页码:摘要： 掺As衬底外延片很大部分用于肖特基器件,器件对正向压降要求越来越高,因此对外延层参数之一的过渡区宽度提出了更高要求.讨论了影响过渡区的温度、生长速率、本征CAP层以及赶气等因素.通过一系列实...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年5期页码:摘要： 介绍了一种GaAs基的长波长谐振腔增强型(RCE)光探测器.通过两步生长法,在GaAs村底上异质外延生长了InP-InGaAs-InP的p-i-n光吸收结构和GaAs/AlAs的分布布拉格反...
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
半导体技术评价信息
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| 4. | 科学文摘(英) |
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
| 2. | 中国科技论文统计用刊 |
| 3. | 中文核心期刊 |
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