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半导体技术期刊
出版文献量（篇）
5044
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
石家庄179信箱46分箱
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5044
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  • 1. 阳极氧化铝模板应用研究新进展
    作者： 张海明 朱彦君 李晓洁 李育洁 王新蒙 胡国锋 高波
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年5期
    页码:  401-404
    摘要： 论述了AAO模板以其独特的六角有序纳米结构,组装1-D材料取得的成功,指出目前关注重点为AAO的应用研究.指出由于AAO模板易脆、存在绝缘阻挡层等缺点,其应用研究进展不大.阐述了为克服上述困...
  • 2. 具有新型电荷产生层的叠层有机发光器件
    作者： 委福祥 张志林 方亮 蒋雪茵
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年5期
    页码:  405-407
    摘要： 研究了采用薄层WO3作为叠层有机发光器件电荷产生层时的性能并对其厚度进行了优化,器件的电荷产生层由Li掺杂的电子注入层和高透明的WO3组成.研究表明,薄层WO3具有很高的透明度,并能有效地产...
  • 3. 基于斩波调制的带隙基准电压源的设计
    作者： 付强 刘玉芬 吴春瑜 李德第 管慧
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年5期
    页码:  408-410,422
    摘要： 为提高白光LED驱动的输出精度,采用了一种基于斩波调制技术的带隙基准源.使用斩波技术,减小了带隙基准源中运放的失调电压所引起的误差,提高了基准源的精度.设计了有启动电路的偏置以确保基准电路能...
  • 4. 标准CMOS工艺U型Si LED器件发光分析
    作者： 杨广华 毛陆虹 王伟 郭维廉 黄春红
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年5期
    页码:  411-413,422
    摘要： 描述了用于制备Si LED发光器件的Si材料的一些特性和Si发光器件的发光原理,分析了影响Si发光器件发光性能的主要因素.介绍了采用新加坡Charter公司的0.35 μm标准CMOS工艺最...
  • 5. GaN-LED芯片上ITO膜侧蚀异常的改善
    作者： 曾祥华 林岳明 韩买兴
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年5期
    页码:  414-417
    摘要： 氧化锢锡(ITO)对可见光具有高透过率及高电导率,常当作透明电极被广泛应用于发光元件上.使用合金的热处理方式,探讨了ITO经热处理后对刻蚀的影响.用电子束蒸镀机在GaN外延片上蒸镀一层ITO...
  • 6. SiN薄膜三阶非线性增强的研究
    作者： 吴志军 宋江婷 徐骏 沈海波 王加贤 王启明 王国立 郭亨群 陈坤基
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年5期
    页码:  418-422
    摘要： 采用射频磁控反应溅射法结合热退火处理技术制备纳米硅镶嵌氮化硅(ncSi-SiNx)复合薄膜.通过X射线能谱(EDS)、X射线衍射仪(XRD)的测定,对薄膜进行了结构及所包含硅晶粒大小的表征....
  • 7. 半导体激光器单管准直实验研究
    作者： 刘媛媛 刘素平 吴芃 王晓薇 王翠鸾 韩淋 马骁宇
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年5期
    页码:  423-426,431
    摘要： 利用高斯光束的ABCD传输矩阵理论分析了LD与自聚焦透镜之间的距离与出射光束远场光斑尺寸之间的关系.通过理论计算可以方便地得到最佳距离,获得较高亮度输出,并进行了实验验证.对平面自聚焦透镜、...
  • 8. 主动锁模光纤激光器的锁相稳定方法
    作者： 乔双 李尧 董姝敏
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年5期
    页码:  427-431
    摘要： 对主动锁模光纤激光器的锁相环路进行了改进,提出一种通过使用"变带宽锁相环"来改善主动锁模光纤激光器稳定性的方法.该方法主要依据信号误差电压实时控制环路的带宽,使环路带宽随锁定信号的频率差动态...
  • 9. 高出光率GaN基光子晶体LED的研究进展
    作者： 于莉媛 牛萍娟 王凡
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年5期
    页码:  432-435
    摘要： 在LED上制作光子晶体结构将会提高LED的出光效率,这使得LED应用范围更广.主要从不同的光子晶体加工工艺出发,总结近年来GaN基光子晶体LED的研究进展,介绍新的工艺和实验结果.通过比较发...
  • 10. 肖特基器件用重掺As衬底上外延层过渡区控制
    作者： 袁肇耿 赵丽霞
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年5期
    页码:  439-441
    摘要： 掺As衬底外延片很大部分用于肖特基器件,器件对正向压降要求越来越高,因此对外延层参数之一的过渡区宽度提出了更高要求.讨论了影响过渡区的温度、生长速率、本征CAP层以及赶气等因素.通过一系列实...
  • 11. 单片集成GaAs基长波长谐振腔光探测器的研究
    作者： 任晓敏 吕吉贺 孙览江 王琦 蔡世伟 雒伟伟 黄永清 黄辉
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年5期
    页码:  442-445
    摘要： 介绍了一种GaAs基的长波长谐振腔增强型(RCE)光探测器.通过两步生长法,在GaAs村底上异质外延生长了InP-InGaAs-InP的p-i-n光吸收结构和GaAs/AlAs的分布布拉格反...
  • 12. LED用GaAs抛光片清洗技术研究
    作者： 吕菲 杨洪星 牛沈军 王云彪 赵权
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年5期
    页码:  446-448,458
    摘要： 伴随着LED照明产业的迅猛发展,高质量的GaAs抛光片需求量日益增大.研究了一种有效的直径5.08 cm低阻GaAs免洗抛光片的清洗技术,采用异丙醇低温超声去蜡结合兆声温法清洗工艺,使晶片表...
  • 13. 介质膜性质及表面处理对GaN HEMT特性的影响
    作者： 冯震 周瑞 张雄文 李亚丽 王勇
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年5期
    页码:  449-451,481
    摘要： GaN HEMT器件经过钝化后,抑制电流崩塌效应明显,但同时产生其他负面效应,为了改善目前GaN HEMT钝化后漏电增加和击穿电压减小等情况,研究了钝化技术对GaN HEMT电流特性的影响,...
  • 14. 功率LED使用寿命评价
    作者： 刘东月 彭浩 徐立生 武红玉 高兆丰 高金环 黄杰
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年5期
    页码:  452-454
    摘要： 概述了照明用功率LED的发展历程,遵循LED的退化规律和退化系数与结温间满足阿列尼斯方程的关系,提出了一种实用的温度应力加速寿命试验对功率LED寿命进行评价的试验方法,并利用上述方法对CRE...
  • 15. 大功率LED稳态热阻测试的关键因素
    作者： 刘东月 张瑞霞 彭浩 徐立生 武红玉
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年5期
    页码:  455-458
    摘要： 热阻值是衡量LED芯片和封装导热性能的主要参数,但在热阻的测试过程中时间、温度和电流等因素都会对结果造成直接影响,因此测试时应综合各种因素,透彻理解参数定义,根据相关标准灵活运用测试设备,以...
  • 16. OLED彩屏显示驱动芯片控制电路的设计
    作者： 尹东辉 薛重阳 陈志良
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年5期
    页码:  459-462
    摘要： 有机发光二极管显示器(OLED)是一种新型的平板器件,介绍了一种用于220×176彩色PM-OLED的显示驱动芯片.该芯片可以选择262 k色和65 k色的显示模式.芯片为18 V高压CMO...
  • 17. 大功率激光二极管无助焊剂烧焊技术
    作者： 安振峰 徐会武 闫立华
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年5期
    页码:  463-466
    摘要： 烧焊质量对大功率激光二极管的可靠性及寿命影响很大.为获得良好的烧焊质量通常在烧焊过程中使用助焊剂,但是助焊剂残留物会因腐蚀作用对激光二极管的性能及寿命产生不利影响.对蚁酸气体保护下的激光二极...
  • 18. 新型OLED测试系统的设计与实现
    作者： 姚若河 彭强
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年5期
    页码:  467-469
    摘要： 为了满足OLED准确批量测试及降低系统成本的需要,根据表征OLED器件性能指标的特点,设计并建立了一套可测试OLED电流密度-电压-亮度以及器件衰减曲线的测试系统.该系统在计算机程控测控稳压...
  • 19. 大功率白光LED封装工艺技术与研制
    作者： 刘亚慧 王华 耿凯鸽 赵义坤
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年5期
    页码:  470-473
    摘要： 与传统的白炽灯、荧光灯照明相比,由于大功率白光LED具有显著的节能、环保、使用寿命长等一系列不可比拟的优势,代表着新型绿色、环保照明的发展方向,正迅速进军照明领域.从1 W大功率白光LED的...
  • 20. 大功率LED的光衰机制研究
    作者： 周丽 崔一平 张家雨 张楼英 罗宗南
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年5期
    页码:  474-477
    摘要： 为了研究大功率LED的光衰机制,选用了一系列的大功率白光、蓝光发光二极管分别进行恒流点亮,在点亮不同时间阶段测量其光通量、发光谱及伏安特性.发现在光衰过程中,光通量有时会上升;通过LED光谱...
  • 21. 1N4626型齐纳二极管的低噪声关键技术研究
    作者： 刘兴辉 刘通
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年5期
    页码:  478-481
    摘要： 分析了二极管的噪声机理和降低噪声的措施,探索了低噪声齐纳二极管的特殊制作工艺,包括Si平面结加保护环、掺氯缓慢升降温氧化、CVD表面钝化、凸点电镀等.用此组合降噪工艺研制的1N4626型齐纳...
  • 22. AlGaN/GaN和AlGaN SBD的温度特性研究
    作者： 吕长志 张小玲 张志国 李菲 李颖 段毅
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年5期
    页码:  482-485
    摘要： 研究了AlGaN/GaN异质结构上的肖特基接触的基本原理及载流子的高温输运特性.将AlGaN/GaN异质结SBD和AlGaN SBD,在27～250℃进行实验比较.发现随着温度上升,AlGa...
  • 23. 含氰基三联苯聚噻吩液晶共轭聚合物单体合成
    作者： 周丹 姚凯 谌烈 陈义旺
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年5期
    页码:  486-489
    摘要： 通过Sszuki偶联和Mitsunobu酯化等反应,设计合成了一种新型含氰基三联苯聚噻吩类液晶共轭聚合物单体,利用核磁共振(1H NMR)、红外光谱(IR)等方法表征了单体的结构.利用示差扫...
  • 24. 缓冲层厚度对透明导电薄膜ZnO:Zr性能的影响
    作者： 刘汉法 张化福 李雪 类成新 袁长坤
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年5期
    页码:  490-493
    摘要： 利用直流磁控溅射法在有ZnO:Zr缓冲层的水冷玻璃衬底上成功制备出了ZnO:Zr透明导电薄膜,缓冲层的厚度介于35～208 nm.利用XRD、SEM、四探针测试仪和紫外-可见分光光度计研究Z...
  • 25. L波段Si微波脉冲功率晶体管射频加速寿命试验
    作者： 刘英坤 董四华 郎秀兰 黄雒光
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年5期
    页码:  494-497
    摘要： Si微波功率器件应用十分广泛,其可靠性直接影响使用设备的性能.以L波段Si微波脉冲功率晶体管为例,提出了一种基于Arrhenius模型的Si微波功率晶体管可靠性寿命评价方案.采用L波段Si微...
  • 26. TEM样品制备辅助研究介质层可靠性失效机理
    作者： 李明 段淑卿 简维廷 郭强
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年5期
    页码:  498-501
    摘要： 研究了TEM样品制备条件对Cu/低k制程ILD TDDB失效样品及含更低介电常数(k=2.7)介质层样品的TEM成像质量的影响,发现在一定的样品制备条件下低介电常数介质的疏松特性可在TEM成...
  • 27. UHF RFID标签基带处理器的低功耗设计
    作者： 吴行军 张春 朱秋玲 王晓晖 马长明
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年5期
    页码:  502-505,518
    摘要： 随着超高频RFID标签的应用越来越广泛,在提高其性能上的需求也越来越迫切.对于无源标签,工作距离是一个非常重要的指标.要提高工作距离,就要降低标签的功耗.着重从降低功耗方面阐述了一款基于IS...
  • 28. 深亚微米混合信号全芯片ESD电路设计
    作者： 李冬梅 纪宗江
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年5期
    页码:  506-509
    摘要： 随着CMOS工艺的发展,集成电路元件的尺寸持续减小,芯片的静电放电(ESD)保护设计受到了更大的挑战.从系统的角度出发,采用电压域分别保护后通过隔离器件连接的方法完成了对深亚微米芯片ESD保...
  • 29. 虚地反馈法设计GaAs HBT微波宽带VCO单片电路
    作者： 李远鹏 陈凤霞 默立冬
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年5期
    页码:  510-514
    摘要： 给出了采用虚地和反馈等原理实现振荡器设计的方法,该方法改变了设计振荡器的传统观念,不同形式的振荡电路总是可以变成放大器和移相选频网络级联,后经反馈构成.并给出了完整的计算公式和设计过程,另外...
  • 30. 飞思卡尔推出一站式32位工业连接解决方案简化嵌入式开发
    作者： 飞思卡尔半导体(中国)有限公司
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年5期
    页码:  519-520
    摘要：

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

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