半导体技术期刊
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管,中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办,业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊,它以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场”,是《半导体技术》的追求,本刊一如既往地坚持客户至上,服务第一,竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄179信箱46分箱
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  • 作者: 张安 段利兵 白晓军 赵小如 赵建林
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年4期
    页码:  257-260
    摘要: 报道了一种适于模拟n沟道非晶IGZO薄膜晶体管(a-IGZO TFT)的直流I-V特性的分析模型.该模型充分考虑了深能级类受主态对自由电子的捕获,并将表面势的概念引入a-IGZO TFT结构...
  • 作者: 付强 张万荣 王任卿 谢红云 赵昕 金冬月
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年4期
    页码:  261-264
    摘要: 相对于同质结晶体管,异质结双极晶体管(HBT)由于异质结的存在,电流增益不再主要由发射区和基区掺杂浓度比来决定,因此可以通过增加基区掺杂浓度来降低基区电阻,提高频率响应,降低噪声系数,但基区...
  • 作者: 任永学 沈牧 王晓燕 程义涛
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年4期
    页码:  265-268
    摘要: 针对大功率半导体激光器阵列难以进行光场分布测试评价的问题,设计了大功率激光器光场分布测试系统.从测试系统探测器的抗损伤阈值方面,分析了对激光衰减的比例要求,提出了几种衰减的方法,设计了低透射...
  • 作者: 张光春 李果华 杨健 王玉林 艾凡凡 陈如龙
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年4期
    页码:  269-272
    摘要: 在晶体硅太阳能电池生产过程中,为了避免过低的填充因子,电池边缘多余的pn结必须去掉.首先利用激光温度场在硅材料中的分布,得出硅片在纳秒级脉冲激光作用下的融化峰值功率阈值.然后根据此阈值选择合...
  • 作者: 张剑平 文尚胜
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年4期
    页码:  273-279
    摘要: 有机电致发光二极管(OLED)因其白光材料的多样性、制程的简单性和成本低廉性,特别是其面光源的属性,相较于电致发光二极管(LED)的点光源,更有望成为未来液晶显示器件背光源的主角.介绍了OL...
  • 作者: 于信明 倪涛
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年4期
    页码:  280-282,321
    摘要: 统计过程控制(statistic process control,SPC)是一种科学有效的方法,该技术的应用改变了以往靠经验来进行调整生产的模式.以MIM电容为例,首先通过对电容客值数据连续...
  • 作者: 伊晓燕 刘志强 李琪 潘岭峰 王军喜 王晓峰 王良臣
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年4期
    页码:  283-286
    摘要: 使用纳米尺度的多孔阳极氧化铝(anodic aluminum oxide,AAO)作为刻蚀掩膜,刻蚀氧化铟锡(indium-tin oxide,ITO),形成纳米图形化表面,对于发光二极管的...
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年4期
    页码:  286,333-336
    摘要:
  • 作者: 夏洋 李勇滔 李英杰 李超波 秦威 许晓平 赵章琰
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年4期
    页码:  287-290
    摘要: 射频电源作为微电子设备如刻蚀机、溅射台和PECVD等的核心部件,其性能的好坏直接关系到整个设备的性能.固态射频电源采用E类MOSFET功率放大器,通过适当的阻抗匹配网络,最终的射频电源在50...
  • 作者: 徐静萍
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年4期
    页码:  291-295
    摘要: 设计了一款恒流-恒压充电模式控制的锂离子电池充电器,当电池电压低于2.9 V时,充电器提供涓流充电模式;当电池电压高于2.9 V时,充电器提供恒流充电模式;当电池电压达到4.2 V时,实现恒...
  • 作者: 付贤松 吴蓉 邓茂林
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年4期
    页码:  296-299
    摘要: 大功率LED是一种新型的半导体光源,具有效率高、寿命长、环保等优点.基于MAX16832C芯片设计了一款高精度LED恒流源驱动电路.MAX16832C是降压型恒流高亮度LED驱动器,为汽车内...
  • 作者: 孟祥斌 徐新龙 沈伟星 程东方
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年4期
    页码:  300-303,324
    摘要: 介绍了一种能有效抑制开关电源芯片应用中,功率开关管电磁辐射干扰的频率抖动技术原理及其电路实现.采用调频技术,让调制信号去控制开关电源的工作频率,使其原有的频率发生偏移.这样,原先集中在狭窄频...
  • 作者: 占建明 杨文才 汶德胜 王宏 王良
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年4期
    页码:  304-306,315
    摘要: 在光电检测电路中信噪比是衡量电路性能的一个重要参数,因此有必要对前置放大电路进行噪声分析.首先给出了光电二极管和运算放大器的等效电路模型,并分析了光电二极管和运算放大器的噪声来源.然后采用分...
  • 作者: 张雷雷 沈海斌
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年4期
    页码:  307-311
    摘要: 基于对振荡电路的研究,设计实现了一种振荡采样随机源电路.该电路结构中采用了由组合逻辑电路与复杂反馈回路相结合实现的新型快速振荡器,相较于传统的环形振荡器在保留容易实现、受环境影响小等特点的同...
  • 作者: 万培元 刘世勋 林平分 邓尧之
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年4期
    页码:  312-315
    摘要: 主要提出了一种优化SRAM供电结构的方案-裸露Metal4的SRAM供电网络.该方案可以在不增加使用绕线资源的条件下,显著地提升SRAM的供电以及整个芯片供电网络的性能.以一款数字电视解调芯...
  • 作者: 原义栋 张海峰 王晋雄
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年4期
    页码:  316-321
    摘要: 提出了一种片上集成的低功耗无电容型LDO(low drop out)电路.该电路采用折叠型cascode运放作为误差放大器,通过消除零点的密勒补偿技术提高了环路稳定性;并在电路中加入了一种新...
  • 作者: 张文朋
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年4期
    页码:  322-324
    摘要: 主要针对真空系统结构复杂,在维修中大量存在不确定因素的特点,在传统的故障树分析方法的基础上引用了模糊故障树的概念.简要地阐述了模糊故障树的定义,对其与传统故障树进行了比较,并且对模糊故障树进...
  • 作者: 杜银波
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年4期
    页码:  325-327,331
    摘要: 电子元器件的可靠性对微波组件产品的起着决定性的作用.结合微波组件研制生产产品中有关元器件质量控制的实际控制情况,从元器件的选用原则、元器件质量等级、元器件在设计过程中的正确使用、元器件入所后...
  • 作者: 肖诗满
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年4期
    页码:  328-331
    摘要: 与一般的半导体器件相比,光电耦合器的工作原理、结构和封装设计独具特色.光耦的失效机理除与单独的LED、三极管相同外,还有它独有的失效机理.在简单介绍光耦的工作原理与封装结构的基础上,重点分析...
  • 作者: 飞思卡尔半导体(中国)有限公司
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年4期
    页码:  332-333
    摘要:

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

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