基于表面势的非晶IGZO薄膜晶体管分析模型

• 作者: 张安 段利兵 白晓军 赵小如 赵建林
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 非晶IGZO 薄膜晶体管 表面势 态密度 解析模型
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 257-260
• 分类号: TN321
• 字数: 1866字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.04.001

摘要

报道了一种适于模拟n沟道非晶IGZO薄膜晶体管(a-IGZO TFT)的直流I-V特性的分析模型.该模型充分考虑了深能级类受主态对自由电子的捕获,并将表面势的概念引入a-IGZO TFT结构.在分析器件能带结构和载流子输运的基础上,参考Si基MOSFET中表面势模型的分析方法,利用半导体-绝缘体界面电荷的泊松方程表达,并结合能带-电压关系,导出了器件饱和区和非饱和区的I-V解析表达式.通过Matlab编程模拟了a-IGZO TFT的转移特征曲线和输出特征曲线,对文献中实验数据进行拟合发现,提出的模型与实验数据均能很好地吻合.该模型结构简明,所包含的参数物理意义明确,有很强的实用性.