基区重掺杂对SiGe HBT热学性能的影响

• 作者: 付强 张万荣 王任卿 谢红云 赵昕 金冬月
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe异质结双极晶体管 基区重掺杂 热电正反馈 热学性能 掺杂浓度
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 261-264
• 分类号: TN322.8
• 字数: 2636字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.04.002

摘要

相对于同质结晶体管,异质结双极晶体管(HBT)由于异质结的存在,电流增益不再主要由发射区和基区掺杂浓度比来决定,因此可以通过增加基区掺杂浓度来降低基区电阻,提高频率响应,降低噪声系数,但基区掺杂浓度对器件热特性影响的研究却很少.以多指SiGeHBT的热电反馈模型为基础,利用自洽迭代法分析了基区重掺杂对器件集电极电流密度和发射极指温度的影响.通过研究发现,随着基区浓度的增加,SiGe HBT将发生禁带宽度变窄,基区反向注入发射区的空穴电流增大;同时,基区少子俄歇复合增强,这些都将减小集电极电流密度,降低发射极指温度,从而抑制发射极指热电正反馈,提高器件的热稳定性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张万荣	北京工业大学电子信息与控制工程学院	105	390	8.0	12.0
2	金冬月	北京工业大学电子信息与控制工程学院	49	155	8.0	8.0
3	谢红云	北京工业大学电子信息与控制工程学院	66	215	8.0	9.0
4	付强	北京工业大学电子信息与控制工程学院	17	39	4.0	5.0
5	王任卿	北京工业大学电子信息与控制工程学院	8	18	2.0	4.0
6	赵昕	北京工业大学电子信息与控制工程学院	15	85	5.0	9.0