半导体技术期刊
出版文献量(篇)
5044
总下载数(次)
38

半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管,中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办,业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊,它以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场”,是《半导体技术》的追求,本刊一如既往地坚持客户至上,服务第一,竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄179信箱46分箱
出版文献量(篇)
5044
总下载数(次)
38
文章浏览
目录
  • 作者: 赵正平
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年2期
    页码:  81-88
    摘要: 以SiC和GaN为代表的宽禁带半导体材料的突破给发展新一代电力电子带来希望.SiC材料具有比Si材料更高的击穿场强、更高的载流子饱和速度和更高的热导率,使SiC电力电子器件比Si的同类器件具...
  • 作者: 吴洪江 曾志
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年2期
    页码:  89-92
    摘要: 介绍了一种8 ~ 20 GHz单片低噪声放大器的研制过程.本电路采用两级放大拓扑,自偏置结构.采用串联负反馈技术降低噪声系数和输入驻波比,采用负反馈技术扩展带宽和提高动态范围.电路设计基于A...
  • 作者: 程冰 罗家俊 赵文欣
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年2期
    页码:  93-96,109
    摘要: 设计了一种1.8~3.3V的自偏置LDO电路,无需外加基准电路,且具有良好的负载调整率和工艺兼容性.该电路采用无需双极型晶体管的基准电路,并且在负载电压和负载电流之间采用电流倍增电路进行隔离...
  • 作者: 付兴昌 吴洪江 孙希国 崔玉兴 张务永 杜鹏搏 蔡树军 高学邦
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年2期
    页码:  97-100
    摘要: 采用GaAs PHEMT工艺,研究了PHEMT器件材料结构和大信号建模,分析了如何提高电路效率,并利用ADS软件对电路进行了原理图与版图优化设计,成功研制了高效率Ka波段GaAs功率放大器M...
  • 作者: 丁春宝 付强 张万荣 谢红云 赵彦晓 郭振杰
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年2期
    页码:  101-104
    摘要: 针对传统的共基-共射(CB-CE)回转器有源电感的品质因子Q值低等缺点,应用Cascode结构把CB-CE有源电感改进为共基-共射-共基(CB-CE-CB)有源电感,推导出等效电路及等效阻抗...
  • 作者: 付兴昌 冯志红 崔玉兴 李亮 李佳 蔡树军 默江辉
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年2期
    页码:  105-109
    摘要: 在高纯半绝缘(HPSI)衬底上外延生长了SiC材料,自主开发了SiC MESFET器件制作工艺,实现了单胞栅宽27 mm芯片的制作.优化了芯片装配形式,通过在管壳内外引入匹配网络提升了芯片输...
  • 作者: 刘超 崔利杰 张家奇 曾一平 杨秋旻
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年2期
    页码:  110-113,125
    摘要: 研究了在GaAs (001)衬底上外延生长的本征ZnTe薄膜样品在氮气氛中450 ~550℃下的快速退火行为.对于1 min退火的样品,随着退火温度的升高,ZnTe (004)峰双晶X射线(...
  • 作者: 尹以安 毛明华 王后锦 王维韵
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年2期
    页码:  114-117
    摘要: 采用化学湿法方法对红光LED的p-GaP层进行腐蚀,研究了不同溶液、不同的溶液配比以及不同的腐蚀时间对LED光电性能的影响.结果表明,当腐蚀深度为1μm时,化学溶液采用HCl∶HN03∶H2...
  • 作者: 冯志红 刘波 尹甲运 房玉龙 王晶晶 邢东
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年2期
    页码:  118-121
    摘要: 介绍了In0.17Al0.83N在质量分数10%的四甲基氢氧化铵(TMAH)碱性溶液中的腐蚀行为实验研究.通过扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观察腐蚀样品,发现其腐蚀机理是起...
  • 作者: 孙敏 王占奎 陈中平 黎敏强
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年2期
    页码:  122-125
    摘要: 提出了一种恒温温补晶振(OCTCXO)的实现方法,该OCTCXO由两部分组成:温度补偿晶体振荡器(TCXO)和恒温槽.TCXO放置在恒温槽中,恒温槽是一个负反馈自动控制系统,当环境温度小于恒...
  • 作者: 刘英坤 李俊敏 高永辉
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年2期
    页码:  126-129
    摘要: 基于放大器小型化大功率的发展趋势,介绍了一种P波段用于雷达装备的长脉宽小型化大功率的放大器模块.为实现小型化设计,该模块采用微波混合集成电路,独特的双层腔体结构,TTL调制电压信号、阻抗转换...
  • 作者: 丛宏林 包琦龙 张昊翔 徐小明 江忠永 罗军 赵超
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年2期
    页码:  130-134
    摘要: 为实现在100 mm直径硅衬底上金属有机物化学气相外延(MOCVD)生长无裂纹GaN,系统研究了预铺铝时间参数对AlN成核质量的影响、不同厚度条件下AlN层对GaN生长的影响以及Al组分渐变...
  • 作者: 周浪 张东华 汤斌兵 汪已琳
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年2期
    页码:  135-139
    摘要: 当前类单晶硅锭生长技术已能容易地获得尺寸数倍于太阳电池硅片的<001>取向的超大“晶粒”,但在其硅片中存在亚晶粒.采用位错刻蚀与显微观察、X射线双晶衍射和背散射电子衍射(EBSD),研究了该...
  • 作者: 傅仁利 方军 花刚 赵维维 钱凤娇 钱斐 顾席光
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年2期
    页码:  140-147
    摘要: 随着LED在照明领域的不断发展,功率和亮度不断提高,尤其是大功率白光LED的出现,热问题成为制约LED进一步发展的关键问题.介绍了大功率白光LED引脚式封装、表面贴装式(SMT)、板上芯片直...
  • 作者: 徐冬梅 谌世广
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年2期
    页码:  148-152
    摘要: 随着科技的不断发展,电子设备变得更加高效、稳定、集成度更高,热性能对封装电子产品的可靠性影响越来越大.据统计,约55%的电子设备的失效是由高温引起的,器件的工作温度平均每提高10℃,设备失效...
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年2期
    页码:  152,159
    摘要:
  • 作者: 唐建新 王晓艳 程秀兰
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年2期
    页码:  153-158
    摘要: 集成电路中金属连线的逆流电迁移(EM)的双峰失效现象在45 nm双大马士革低k材料铜布线工艺中变得尤为突出,介绍了由于空洞存在于连接电路导致电迁移的早期失效,总结出两个早期失效的主要原理:分...

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

期刊荣誉
1. 中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)
2. 中国科技论文统计用刊
3. 中文核心期刊

半导体技术统计分析

被引趋势
(/次)
(/年)
学科分布
研究主题
推荐期刊