半导体技术期刊
出版文献量(篇)
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管,中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办,业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊,它以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场”,是《半导体技术》的追求,本刊一如既往地坚持客户至上,服务第一,竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄179信箱46分箱
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  • 作者: 丁士进 崔兴美 陈笋
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年7期
    页码:  481-486
    摘要: 非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)沟道薄膜晶体管存储器在先进系统面板领域具有重要的应用前景.首先阐明了a-IGZO材料在系统面板和柔性器件等应用中所具有的优势,然后对a-IGZO薄膜的制备方法...
  • 作者: 叶甜春 周仁杰 甘业兵 莫太山 钱敏 马成炎
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年7期
    页码:  487-491,496
    摘要: 基于5.8 GHz电子不停车收费系统(electronic toll collection,ETC)应用,介绍了射频收发芯片中唤醒接收机(wake-up receiver,WuR)的模拟前端...
  • 作者: 尹喜珍 张海英 李志强 樊晓华 洪丽 王小松
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年7期
    页码:  492-496
    摘要: 在0.18 μm 1P6M CMOS工艺上实现了一款适应于光纤无线电系统的分数分频锁相环型频率综合器.锁相环环路由鉴频鉴相器、电荷泵、片外三阶低通环路滤波器、LC压控振荡器、正交I/Q高频除...
  • 作者: 朱思成 默立冬
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年7期
    页码:  497-501,524
    摘要: 采用0.15 μm GaAs PHEMT工艺,设计了一款7~13.5 GHz宽带低噪声放大器单片集成电路.该单片集成电路可用于点对点、点对多点通信以及测试仪器和测试系统中.电路采用两级级联的...
  • 作者: 袁彪 郭文胜
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年7期
    页码:  502-505,509
    摘要: 提出了一种基于混合集成电路工艺制作的小型化取样锁相介质振荡器(PDRO)的设计方法.对取样鉴相电路与脉冲形成电路进行了理论分析,并深入探讨取样锁相技术原理,保证近端低相噪要求.采用自主设计的...
  • 作者: 谭超
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年7期
    页码:  506-509
    摘要: 介绍了一款基于砷化镓异质结双极晶体管(GaAs HBT)工艺的24 GHz单片压控振荡器(VCO),VCO芯片上同时集成了1/2次谐波输出及八分频器电路,可提供1/2和1/16次谐波输出.由...
  • 作者: 姚邵康 徐德辉 徐铭 熊斌 王跃林
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年7期
    页码:  510-516
    摘要: 由于体硅微机械工艺制作绝压压阻式压力传感器的过程中,通过Si-Si直接键合形成的带真空腔的微结构在高温和大气压的作用下会产生塑性形变,对器件制作工艺中微结构发生的塑性变形及其对器件性能的影响...
  • 作者: 杨坤进 汪德文
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年7期
    页码:  517-520,529
    摘要: 仿真了逆导型(RC)非穿通-绝缘栅双极晶体管(NPT-IGBT)的器件结构及其“折回效应”现象的I-V特性曲线,研究了一些器件重要结构参数(背面阳极n+区域与p+区域尺寸比例Ln/Lp以及n...
  • 作者: 余小辉 杨树春 沈育蓉
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年7期
    页码:  521-524
    摘要: 采用pin二极管技术,在输入端反射式pin组合开关的基础上,设计、制作了一种微波吸收式pin单刀双掷开关,并给出了详细设计原理图.用AWR软件分别对带有定向耦合器的反射式pin组合开关和吸收...
  • 作者: 吴勇 张策 张鹏 杨勇 肖郑操 邓建国 韩东 马中发
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年7期
    页码:  525-529
    摘要: 提出了一种新型自对准石墨烯场效应晶体管(graphere field-effect transistor,GFET)制备工艺,该工艺可与现有Si CMOS工艺相兼容.利用该工艺制备的自对准栅...
  • 作者: 李成 林旺 汤丁亮 赖虹凯 阮育娇 陈松岩
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年7期
    页码:  530-535
    摘要: Ge比Si具有更高的电子和空穴迁移率,且Ge材料可以应用于1.3~1.5 μm近红外波段,因此Ge成为制备微电子和光电子器件的主要材料.然而由于Ge的费密能级钉扎效应以及难以获得高浓度的磷(...
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年7期
    页码:  535,555,560,前插1-前插2
    摘要:
  • 作者: 胡顺欣 苏丽娟 苏延芬 邓建国
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年7期
    页码:  536-539
    摘要: 分析了采用微波高密度等离子体刻蚀(HDP)系统刻蚀实现高纵横向刻蚀选择比、低等离子体损伤、精细线条尺寸的MOSFET多晶硅栅的可行性.研究了刻蚀用气体中CH4和SF6等离子体分别在多晶硅栅刻...
  • 作者: 何凤英 唐伟 曾中明 李新华 秦刚 郭光华 龙雄飞
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年7期
    页码:  540-544
    摘要: 实验基于非对称二次阳极氧化方法,通过在多种不同的电解液中交替阳极氧化制备了孔径大小调制的多孔氧化铝,并以此为模板,电化学沉积了线径调制的Ni纳米线.采用场发射扫描电镜对Ni纳米线进行了形貌表...
  • 作者: 杨恒 肖斐 蒋程捷 豆传国
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年7期
    页码:  545-550
    摘要: 电子封装是集成电路产品制造过程中的重要环节,而电子封装所产生的应力则可能会对芯片的性能及可靠性产生影响,因而受到业界的广泛关注.利用半导体压阻效应制造硅压阻应力传感器阵列芯片,将其倒装键合至...
  • 作者: 吕长志 张小玲 谢雪松 赵伟 赵利 陈成菊 齐浩淳
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年7期
    页码:  551-555
    摘要: 为探求快速评价国产晶体管长期贮存寿命的方法,对国产3DK105B型晶体管开展了加速退化试验的分析和研究.通过三组不同温、湿度恒定应力的加速退化试验,确定了晶体管的失效敏感参数,利用其性能退化...
  • 作者: 吴晓
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年7期
    页码:  556-559
    摘要: LED芯片定位是进行芯片检测、划片、扩晶、固晶及判断芯片电气特性、芯片管脚是否达到要求,能否成功分选LED芯片质量的关键一环.针对这一问题,提出了一种图案匹配的定位方法.首先通过获取物体图像...

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

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1. 中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)
2. 中国科技论文统计用刊
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