合金条件对Al/n+-Ge欧姆接触的影响

• 作者: 李成 林旺 汤丁亮 赖虹凯 阮育娇 陈松岩
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: Al/n+-Ge接触 离子注入 退火 圆形传输线模型(CTLM) 接触电阻率
• 年，卷（期）: 2013,（7）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 530-535
• 分类号: TN305
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2013.07.011

摘要

Ge比Si具有更高的电子和空穴迁移率,且Ge材料可以应用于1.3～1.5 μm近红外波段,因此Ge成为制备微电子和光电子器件的主要材料.然而由于Ge的费密能级钉扎效应以及难以获得高浓度的磷(P)原位掺杂,使得n-Ge的欧姆接触成为一个难题.采用P+离子注入获得高掺杂浓度的n-Ge材料,掺杂浓度为1.5×1019 cm-3；依据圆形传输线模型(CTLM)制备了一系列A1/n+-Ge样品,研究了不同退火温度和退火方式对其接触特性的影响.实验结果表明,Al/n+-Ge样品通过400℃快速热退火(RTA) 30 s表现出欧姆接触特性,并且接触电阻率ρc最低,为1.3 ×10-5 Ω·cm2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈松岩	厦门大学物理系半导体光子学研究中心	68	248	8.0	12.0
2	赖虹凯	厦门大学物理系半导体光子学研究中心	17	32	3.0	5.0
3	李成	厦门大学物理系半导体光子学研究中心	45	140	7.0	11.0
4	汤丁亮	厦门大学化学化工学院	15	176	6.0	13.0
5	林旺	厦门大学物理系半导体光子学研究中心	2	0	0.0	0.0
6	阮育娇	厦门大学物理系半导体光子学研究中心	2	0	0.0	0.0