半导体技术期刊
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管,中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办,业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊,它以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场”,是《半导体技术》的追求,本刊一如既往地坚持客户至上,服务第一,竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄179信箱46分箱
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5044
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  • 作者: 付兴中 付兴昌 崔玉兴 赵金霞
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年12期
    页码:  881-888,959
    摘要: GaN基功率器件的衬底和外延技术的发展对于器件性能的提升和成本的降低起着非常重要的作用.介绍了国外SiC基、Si基以及新型金刚石基GaN功率器件衬底材料和GaN外延技术的研发现状.重点讨论了...
  • 作者: 刘勇攀 孙忆南 杨华中 王智博
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年12期
    页码:  889-893,915
    摘要: 将电源电压降低到晶体管阈值电压附近可以有效提高数字电路的能效,而近阈值标准单元库是近阈值数字电路设计的基础.通过分析逻辑门间静态噪声容限的兼容性、逻辑门在宽电压范围下延时变化情况,并通过求解...
  • 作者: 赵子润 陈凤霞
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年12期
    页码:  894-898
    摘要: 基于0.25μm砷化镓(GaAs)增强、耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(E/DPHEMT)工艺,设计并实现了一种串并行驱动器芯片,该芯片应用直接耦合场效应晶体管逻辑结构(DCFL),实现了移位...
  • 作者: 任臣 徐磊 杨亮 杨拥军
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年12期
    页码:  899-903
    摘要: 研究了MEMS陀螺驱动环路的数字ΣΔ闭环控制.基于MEMS陀螺机械结构的二阶谐振特性,采用自激振荡的方式实现驱动闭环,通过数字延迟链实现相位控制,通过PI控制器保证驱动模态恒幅振动.设计4阶...
  • 作者: 刘军 李文钧 陆海燕 陈秋芬 韩春林
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年12期
    页码:  904-910
    摘要: 提出一种改进的增强型GaN HEMT器件建模大信号模型.模型沟道电流方程和电荷方程均连续且高阶可导,栅电荷模型满足电荷守恒原则.提出的沟道电流模型可精确拟合实际器件正、反向区、截止区以及亚阈...
  • 作者: 何延强 刘钺杨 吴迪 温家良 金锐
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年12期
    页码:  911-915
    摘要: 采用局域注入p型离子和高温推结的方式得到高掺杂p+区和低掺杂p-区规律性的浓度梯度变化,研制了新型低阳极发射效率二极管.与常规结构二极管相比,此结构在工艺实现时,制造工艺条件、掩模版数量保持...
  • 作者: 钱可伟 陆宇 陈晓娟
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年12期
    页码:  916-920,929
    摘要: 基于第三代半导体GaN的高电子迁移率晶体管技术,利用Cree CGH40010管芯大信号模型并结合ADS2009U1软件,结合商用GaN管芯的自身特性,采用微带-电阻-微带-电容-微带的负反...
  • 作者: 李明 杭弢 黄红伟
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年12期
    页码:  921-924
    摘要: 超大规模集成电路设计和制造过程中,基于栅氧化层击穿的天线效应已得到广泛研究.从一个数模转换电路的漏电失效案例分析着手,利用电性分析、物理失效分析、工艺排查结合电路设计分析等手段,研究了一种与...
  • 作者: 何智清 孟津 薛兴涛
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年12期
    页码:  925-929
    摘要: 讨论了铜柱凸块生产工艺中籽晶层厚度和电镀电流密度等关键制程因素对铜柱凸块共面性、晶圆应力、凸块剖面结构和电镀效率等方面的影响.研究结果表明增加电镀籽晶层厚度可以提高凸块共面性;在相同电镀电流...
  • 作者: 吴元庆 周涛 张宇峰 张鹏 王泽来 赵洋 陆晓东
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年12期
    页码:  930-936
    摘要: 少子寿命测试技术是监控单晶硅中杂质和缺陷的数量及性质的重要技术手段.基于常规光电导少子寿命测试的基本参数,研究了不同性质的受主型杂质缺陷对太阳电池用p型单晶硅中少子衰减过程的影响,并重点分析...
  • 作者: 刘思宁 吴川 吴法宇 周艳文
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年12期
    页码:  937-943
    摘要: 室温下采用射频磁控溅射粉末靶,在玻璃基底上制备了掺铝氧化锌/银/掺铝氧化锌(AZO/Ag/AZO)三层透明导电薄膜.通过优化中间银层厚度,优化了三层透明导电薄膜的光电性能.采用原子力显微镜和...
  • 作者: 夏洋洋 王月青 王玉婵 王青 蔡道林 陈一峰 陈邦明 霍如如 魏宏阳
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年12期
    页码:  944-949
    摘要: 基于中芯国际40 nm工艺制备的64 Mbit相变存储器,设计并进行了两组对比实验.分别使用不同幅值和脉宽的RESET电流脉冲对存储器单元进行疲劳操作,对相变存储器单元的疲劳性能与RESET...
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年12期
    页码:  949
    摘要:
  • 作者: 张丹群 张素娟
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年12期
    页码:  950-953
    摘要: 倒装焊器件与常规的引线键合结构不同,现行的DPA标准不能完全适用于倒装焊结构.结合现有标准和倒装焊器件结构特点,以某塑封倒装焊集成电路器件为例,提出一套经过试验验证的、实用性强的倒装焊器件D...
  • 作者: 周柯 尹彬锋 王继华 高金德
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2015年12期
    页码:  954-959
    摘要: 常规复杂耗时的工艺可靠性评估已经成为开发先进工艺的瓶颈问题,为了满足技术开发对可靠性性能的更高要求,提出利用"大数据"的概念,以数据库为手段的一种有效的分析处理流程.通过这种分析方法,可以使...

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

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1. 中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)
2. 中国科技论文统计用刊
3. 中文核心期刊

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