半导体技术期刊
出版文献量(篇)
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管,中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办,业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊,它以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场”,是《半导体技术》的追求,本刊一如既往地坚持客户至上,服务第一,竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄179信箱46分箱
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5044
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  • 作者: 彭挺 董健方 金立川 钟智勇 高能武
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2018年8期
    页码:  561-571,590
    摘要: 霍尔传感器作为磁传感器的重要成员,广泛应用于汽车电子和无线通信等电子系统.与以第一代半导体材料硅、锗等为基底的霍尔传感器相比,GaAs基霍尔传感器具有更高的磁场分辨率、灵敏度和稍好的温度特性...
  • 作者: 于双铭 伯林 冯鹏 刘力源 吴南健 李贵柯 王开友 邓元明
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2018年8期
    页码:  572-578,602
    摘要: 设计了一种适用于无源超高频(UHF)温度标签的超低功耗CMOS温度传感器电路.该电路利用衬底pnp晶体管产生随温度变化的电压信号,同时采用了逐次逼近寄存器(SAR)转换和∑-△调制相结合的模...
  • 作者: 王子青 赵子润 龚剑
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2018年8期
    页码:  579-583,638
    摘要: 基于InP双异质结双极晶体管(DHBT)工艺设计并实现了一款6 bit高速数模转换器(DAC)芯片,该InP工艺DHBT器件的电流增益截止频率大于200 GHz,最高振荡频率大于285 GH...
  • 作者: 张成发 方祥 时传飞 李沂蒙 李泽宏 梁蓓 赵念
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2018年8期
    页码:  584-590
    摘要: 针对传统电磁继电器在起动机启动时保护能力弱、灵敏度低、寿命短、体积大等缺点,基于0.35 μm CMOS工艺,设计了一种分时电压采样与保护的电子继电器控制集成电路.该电路通过A/D采样模块采...
  • 作者: 徐永祥 赵瑞华
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2018年8期
    页码:  591-597,609
    摘要: 基于GF 8HP 0.12 μm BiCMOS工艺设计并实现了一款应用于相控阵系统的具有低幅度均方根(RMS)误差的单片集成5~40 GHz5 bit数控衰减器.该衰减器采用桥T和单刀双掷(...
  • 作者: 张颖颖
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2018年8期
    页码:  598-602
    摘要: 提出并研究了一种具有阶梯变掺杂基区的SiC光控晶体管.通过Silvaco TACD计算机仿真平台,对具有阶梯变掺杂基区的SiC光控晶体管与常规均匀掺杂基区的SiC光控晶体管的性能进行了对比分...
  • 作者: 余金豪 凌海容 杨炳辰 杨继凯 杨超 王国政 王蓟 端木庆铎 陈奇
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2018年8期
    页码:  603-609
    摘要: 为制备用于X射线闪烁屏的高开口面积比硅微通道阵列,研究了四甲基氢氧化铵(TMAH)溶液温度和质量分数对硅(100)晶面和(110)晶面腐蚀速率的影响.通过金相显微镜观测硅微通道端面尺寸并计算...
  • 作者: 刘媛媛 单斌 徐湘伦 曹坤 杜纯 陈蓉 黄静
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2018年8期
    页码:  610-615
    摘要: Al2O3薄膜常用于有机电子器件的稳定化封装.除了薄膜的水气渗透率特性,薄膜的表面粗糙度、润湿性和折射率等性能也会影响薄膜的最终封装效果.采用自制等离子增强原子层沉积(PE-ALD)系统在低...
  • 作者: 修向前 张荣 朱宇霞 郑有炓 陈琳 顾世浦
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2018年8期
    页码:  616-621
    摘要: 利用有限元法对单片6英寸(1英寸=2.54 cm)GaN衬底用氢化物气相外延(HVPE)生长系统的工艺参数进行了数值模拟和优化.通过建立反应室二维几何模型,依次改变HVPE系统中的GaCl,...
  • 作者: 张胜男 徐永宽 程红娟 练小正 金雷 齐海涛
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2018年8期
    页码:  622-626
    摘要: 以高纯Ga2O3为原料,使用自主设计的单晶生长炉,采用导模(EFG)法生长了2英寸(1英寸=2.54 cm)未掺杂的高质量β-Ga2O3单晶.研究了保护气氛对抑制Ga2O3原料高温分解速率的...
  • 作者: 刘宇 李秀然 李秀莹 沈思杰 王鹏
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2018年8期
    页码:  627-632
    摘要: 针对U型沟槽MOSFET (UMOSFET)功率器件栅极和源极间发生漏电失效的问题,对失效器件进行了电学测试和缺陷检测,对失效现象和失效机理进行了分析,并进行了相关工艺模拟和工艺实验.采用透...
  • 作者: 余琨 王华
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2018年8期
    页码:  633-638
    摘要: 针对大量IP硬核精准、快速的测试验证需求,在分析现有IP硬核测试技术的基础上,研究了IP硬核无损测试技术.通过设计模拟用户片上系统(SOC)的通用评估系统,将被测IP硬核嵌入在测试电路中,并...
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2018年8期
    页码:  640
    摘要:

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

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