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半导体技术2019年第9期出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
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38
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年9期页码:摘要： 传统的功率放大器调制驱动器采用电荷泵式结构,使电路输出的脉冲宽度受到限制,同时,外围元器件连接也较为复杂.提出了一种新型调制驱动器架构解决以上问题.采用高侧驱动p型MOSFET的应用架构,从...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年9期页码:摘要： 提出了一种交叉结构高增益的两级运算跨导放大器(OTA)电路,第一级采用PMOS差分输入方式,降低电路的噪声和功耗,第二级为采用推挽结构的共源增益级,提供增益并降低静态电流.为进一步提高电路的...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年9期页码:摘要： 研发了一款W波段四通道接收前端微波单片集成电路(MMIC).该接收前端包括低噪声放大器、混频器和本振功分电路.低噪声放大器采用五级共源放大拓扑,混频器采用场效应晶体管进行阻性三次谐波混频;通...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年9期页码:摘要： 基于0.15 μm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(GaAs PHEMT)工艺,设计并实现了一款K波段的平衡式矢量调制器微波单片集成电路(MMIC)芯片.该矢量调制器集成了Lange耦合器、双相...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年9期页码:摘要： 与传统光源相比,基于GaN材料的发光二极管(LED)具有量子效率高、寿命长等优势,在通用照明、显示、医疗等领域中的应用份额稳步提升.然而受制于其材料特性与器件结构,GaN基LED在内量子效率...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年9期页码:摘要： 由于常规电感耦合等离子体刻蚀系统所产生的离子能量分布(IED)为离散的双峰且分布较宽,很难满足在鳍型场效应晶体管(FinFET)刻蚀中对高刻蚀选择比及低离子损伤的要求.利用减速场能量分析仪对...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年9期页码:摘要： 有机-无机钙钛矿薄膜作为有机发光二极管中的发光层,其本身的薄膜质量与热稳定性是影响其发光特性的主要因素.采用一步溶液法制备了蓝光发射MAPbClxBr3-x薄膜,并通过光学显微镜、吸收光谱、...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年9期页码:摘要： 通过两步水热法在氟掺杂SnO2 (FTO)玻璃衬底上制备出了不同退火温度的TiO2/ZnO复合纳米棒,分别利用X射线衍射、扫描电子显微镜、喇曼光谱和光致发光谱等手段对不同退火温度下的TiO2...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年9期页码:摘要： CuSbS2是一种良好的太阳电池吸收层材料,其组成元素毒性低且地球储量比较丰富.采用溶胶-凝胶法制备CuSbS2薄膜,为了去除薄膜中的氧化物并提高薄膜质量,对薄膜进行了硫化处理.采用X射线衍...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年9期页码:摘要： SiC功率模块随着输出功率增加,结温会随之明显上升,热阻增大,电学性能退化.因此,研究SiC模块热电性能,降低模块热阻和寄生电感对发挥SiC模块优良的电学特性非常关键.针对1 200 V/2...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年9期页码:摘要： 采用SRAM读/写功能分析、晶圆可接受测试(WAT)分析、SRAM操作电路分析相结合的方法,找出28 nm工艺平台开发过程中高温(125℃)和低温(-40℃)测试条件下静态随机存储器(SRA...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年9期页码:摘要： 陶瓷封装倒装焊器件在应用过程中往往面临大温差、湿热、高温等外部环境,为了满足其应用要求,必须进行充分的热学环境可靠性评估.以陶瓷封装菊花链倒装焊器件为研究对象,进行温度循环、强加速稳态湿热(...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年9期页码:摘要： 为获得某星载专用集成电路(ASIC)控制运算芯片在轨单粒子翻转率,开展了不同线性能量传递(LET)值重离子辐照试验,并根据试验结果量化评估了该芯片抗单粒子翻转效应性能并获得了单粒子翻转截面....
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14. 一种延长NAND闪存寿命的新策略刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年9期页码:摘要： 提出预测刷新策略来延长与非型(NAND)闪存寿命.预测刷新的核心是挖掘闪存中块的最大刷新周期,然后使用该周期刷新块来减少驻留错误,保证块中页的错误数(FBC)在错误纠正码(ECC)的纠错能力...
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15. 信息动态刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年9期页码:摘要：
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
| 2. | 中国科技论文统计用刊 |
| 3. | 中文核心期刊 |
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