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半导体技术2021年出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年5期页码:摘要： 研究了聚焦离子束(FIB)沉积Pt纳米导线的电学失效行为及其机理.FIB沉积Pt纳米导线在集成电路修复和微型电极制备等领域有重要应用,其电学特性及失效行为研究对器件结构设计及性能测试具有重要...
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62. 电源调制驱动器的失效分析刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年5期页码:摘要： 电源调制驱动器是保障电路系统脉冲式供电的常用IC产品,通过输出脉冲信号控制MOSFET的开关为电路系统供电.讨论了某电子设备中出现的电源调制驱动器失效现象.通过二极管导通测试和加电测试确定故...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年5期页码:摘要： 压接型绝缘栅双极晶体管(IGBT)的驱动印制电路板(PCB)寄生参数不一致会引起瞬态过程中内部IGBT芯片栅极电压不一致,芯片不能同时开通,造成芯片的瞬态不均流.结合压接型IGBT驱动PCB...
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64. UVC-LED芯片质量评价方法刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年5期页码:摘要： 受新冠疫情影响,可用于杀菌消毒的短波紫外发光二极管(UVC-LED)市场需求急剧增加,但是目前对UVC-LED的参数测量没有相应的国家标准,市场上芯片质量良莠不齐,严重制约了 UVC-LED...
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65. 堆叠结构BGA焊接可靠性评价方法刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年5期页码:摘要： 设计了基于实时监测菊花链拓扑结构动态电阻的叠层球栅阵列封装(BGA)焊接可靠性评价方法,使用该方法研究叠层器件BGA焊接互连结构的环境可靠性.以基于硅通孔(TSV)技术的BGA互连的硅基双层...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年6期页码:摘要： 5 新型GaN基紫外探测器 近年来,利用GaN异质结场效应晶体管的二维电子气(2DEG)易受表面态控制的特征而兴起的GaN基HEMT探测器,其所具有的灵敏度高、响应速度快、适于极端环境等优...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年6期页码:摘要： 发光二极管(LED)微显示技术由于其潜在应用而倍受关注.与主流的基于硅基驱动器的LED微显示技术不同,采用GaN场效应晶体管(FET)驱动的LED微显示技术制作的器件具有可靠性高和制作工艺简...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年6期页码:摘要： 为了抑制选通-阻变(1S1R)交叉结构阵列在写操作过程中存在的选通器耐受性退化,对施加不同脉冲幅值和宽度的写入电压时HfO2/Ag纳米点阈值开关选通器件的耐受性退化情况进行了测试和分子动力学...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年6期页码:摘要： 基于硅基微电子机械系统(MEMS)工艺和三维异构集成技术,研制了一款硅基X波段2×2相控阵T/R组件.该组件采用收发一体多功能芯片方案,将所有器件封装于两层硅基中.其中上层硅基集成了低噪声放...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年6期页码:摘要： 设计了一款低噪声高增益电荷泵,主要用于低相位噪声的频率合成器.在传统的电流转向型电荷泵结构中增加了非镜像结构的低噪声电流源单元,使电荷泵的输出电流呈比例增加,降低电荷泵对频率合成器输出相位噪...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年6期页码:摘要： 混频器是微波系统关键部件之一.微波通信系统的宽带化和小型化发展趋势对混频器性能提出更高要求.基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计了一款超宽带无源双平衡混频器单片微波集成电...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年6期页码:摘要： 锁模光纤激光器在工业加工、光通信、光学传感等领域有广泛的应用.由于在GaAs基板上制备的InAs量子点(QD)半导体可饱和吸收镜(QD-SESAM)增益谱较宽、成本较低,将其应用于锁模光纤激...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年6期页码:摘要： 研制了一款基于AlGaInAs/AlGaAs应变补偿量子阱大光腔结构的808 nm半导体激光器.采用金属有机物化学气相沉积方法外延生长,在超高真空环境下进行圆片解理,然后原位沉积钝化膜,最后...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年6期页码:摘要： SiC器件的高开关速度使其瞬态过程的非理想特性大为增加,对杂散参数也更为敏感,容易激发高频振荡和过冲.为充分发挥其高开关速度优势,提升系统控制性能,首先,建立SiC MOSFET开关瞬态解析...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年6期页码:摘要： 氧化铟锡(ITO)透明电极能够有效提高GaN光导半导体开关的光吸收效率和电场均匀性,但如何在透明电极ITO与半绝缘GaN之间实现良好的欧姆接触是一个难题.通过在ITO和半绝缘GaN之间插入与...
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76. 高亮度硅纳米晶发光峰位的调制刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年6期页码:摘要： 镶嵌硅纳米晶的SiO2薄膜(Si-nc∶SiO2)是目前主要的硅发光材料.Si-nc发光强度低的缺点阻碍了它的应用,因此寻求一种制备高亮度Si-nc∶SiO2的方法尤为重要.使用氢硅倍半环氧...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年6期页码:摘要： 以MoS2为代表的二维半导体材料是有望用于下一代光电子器件的新兴材料,实现大面积连续二维半导体薄膜材料的制备将促进相关材料的工业应用.在(NH4) 2MoS4前驱体溶液中添加聚乙烯醇(PVA...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年6期页码:摘要： 半导体器件可靠性受其热效应的影响,多通道T/R组件的温度场本身存在多热源耦合,还受到电磁损耗的影响.为定量研究组件的热效应,建立了基于有限元仿真的T/R组件热力学模型,除芯片热效应和组件的三...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年7期页码:摘要： 二维范德华材料凭借其优异的光学和电学特性,自被发现以来一直作为延续集成电路摩尔定律的重要基础电子材料而备受关注.通过机械剥离的方法得到高质量的二维材料进行实验室层面的研究工作已经不能满足现阶...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年7期页码:摘要： 随着GaN功率放大器的发展,其工作电压和输出功率越来越大,对电源调制器的要求也越来越高.介绍了一种用于36 V、500 W GaN功率放大器的电源调制器模块.该模块基于自主研发的芯片组合设计...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年7期页码:摘要： 采用VIS 0.15 pm BCD工艺设计了一款应用于温度补偿恒温晶体振荡器(TCOCXO)专用集成电路(ASIC)的数据修调电路.该数据修调电路由逻辑控制电路和一种电可擦可编程只读存储器(...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年7期页码:摘要： 采用GaAsPHEMT工艺,设计了一种700 MHz频段的高线性驱动放大器MMIC.该放大器内部集成了带通复合匹配网络结构的宽带输入匹配电路,通过两种幅频特性相反的匹配网络进行组合,有效地拓...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年7期页码:摘要： 基于GaNHEMT工艺,研制了一款W波段功率放大器MMIC.利用Lange耦合器将3个饱和输出功率大于1 W的单元电路进行三路片上功率合成来实现该功率放大器MMIC.该芯片的制作采用了 0....
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年7期页码:摘要： 采用机械剥离法得到二维MoS2材料并将其转移到SiO2/Si衬底上,采用光刻、剥离工艺制备出二维MoS2晶体管.将二维MoS2晶体管浸泡在不同质量浓度的聚乙烯醇(PVA)溶液中,然后旋涂成膜...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年7期页码:摘要： 通过使用工艺计算机辅助设计(TCAD)仿真技术提出了一种新型的带有夹层的垂直U型栅极隧穿场效应晶体管(TFET)结构.该器件是通过优化基于Ge的栅极金属核垂直纳米线TFET结构获得的.通过在...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年7期页码:摘要： ZnO是一种优异的可饱和吸收体(SA),然而它在近红外波段的光吸收性能较弱,限制了其在超快光子学领域的进一步应用.首先采用水浴法制备了 ZnO微球粉末,旋涂到金镜衬底上制备成ZnO-SA,再...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年7期页码:摘要： 锑化铟(InSb)作为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料广泛应用于红外探测器、霍尔元件等领域.InSb薄膜中Sb/In摩尔比直接影响薄膜的电学、光学等性能.采用真空镀膜方法难以精确控制薄膜中Sb/In...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年7期页码:摘要： 采用气压浸渗法制备了热导率为850 W ? m-1 ? K-1的铜-硼/金刚石复合材料翅片热沉,测试了其在自然冷却、强迫风冷和强迫水冷三种冷却模式下的散热效果.结果表明,热源功率越高,铜-硼...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年7期页码:摘要： 对于具有球形焊点且呈正三角形排列的倒装芯片,由于其待填充的空隙结构复杂,难以通过平均毛细压来建立底部填充的解析模型.因此通过能量变化来分析底部填充过程以避免平均毛细压的计算.首先分析了底部填...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2021年7期页码:摘要： 提出采用 自隔离散热技术解决大功率倒装单片集成LED芯片散热与绝缘之间的矛盾问题.基于自隔离散热技术原理,利用微纳加工技术,通过在AlN陶瓷基板上生长隔离金属岛制备自隔离散热基板.采用多胞串...
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
半导体技术评价信息
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
| 2. | 中国科技论文统计用刊 |
| 3. | 中文核心期刊 |
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