半导体技术期刊
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半导体技术

Semiconductor Technology

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影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管,中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办,业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊,它以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场”,是《半导体技术》的追求,本刊一如既往地坚持客户至上,服务第一,竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄179信箱46分箱
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5044
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  • 作者: 林雪梅 李蒙蒙 龙世兵 李泠
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2021年9期
    页码:  665-674
    摘要: 近年来,由于有机场效应晶体管(OFET)具有成本低、机械柔性优异且可大面积制备等优点成为国际研究的前沿领域之一.迄今为止,OFET的载流子迁移率已超过了非晶硅薄膜晶体管,在柔性集成电路中表现...
  • 作者: 唐晓柯 李振国 郭海兵 王源
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2021年9期
    页码:  675-679,700
    摘要: 与消费类电子产品相比,用于继电保护的集成电路(IC)面临着更为严苛的静电放电(ESD)环境,需要高可靠性的电源钳位ESD电路,但这会给芯片带来较大的泄漏功耗.针对继电保护电路的ESD需求,提...
  • 作者: 翟世崇 李文昌 吴鸿昊 刘剑 鉴海防
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2021年9期
    页码:  680-685
    摘要: 设计并流片实现了一款具有寄生电阻消除功能的远端测温芯片.分析了远端测温原理和寄生电阻对测温精度的影响,利用差分结构采集远端三极管产生的温度信号.采用一阶∑-△模数转换器(ADC)将温度信号进...
  • 作者: 刘武广 王增双
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2021年9期
    页码:  686-689,743
    摘要: 基于推推振荡器结构设计了一种低相位噪声的毫米波压控振荡器,相比传统采用直接振荡和倍频实现的振荡器,该振荡器具有体积小、相位噪声低及电路简单等优点.振荡器中的谐振电路采用多级串联谐振,电感采用...
  • 作者: 高森 武娴 肖磊 王敬
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2021年9期
    页码:  690-693,738
    摘要: 界面质量是影响GaN MOS器件性能以及可靠性的主要因素之一,Al203栅介质与极性GaN界面间插入超薄非晶AlN作为钝化层可以有效改善GaN栅界面特性,针对AIN钝化层生长方式研究了GaN...
  • 作者: 陈飞 冯全源
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2021年9期
    页码:  694-700
    摘要: 为解决常规AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)因源极电子注入栅极右侧高场区造成的雪崩击穿,并提高器件的击穿电压,提出了一种具有栅源间本征GaN (i-GaN)调制层的新型AlGa...
  • 作者: 姚婉青 刘红辉 柳月波 张佰君
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2021年9期
    页码:  701-704,711
    摘要: 提出了通过增大欧姆接触电极包围角提高GaN基太赫兹肖特基二极管的截止频率的方法,该方法减小了空气桥结构平面肖特基二极管的串联电阻,进而提高了器件的截止频率.设计并制备了不同欧姆接触电极包围角...
  • 作者: 武艳青 车相辉 张磊 赵润 曹晨涛 董风鑫
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2021年9期
    页码:  705-711
    摘要: 设计了一种1550 nm波长分布反馈(DFB)激光器芯片,分析了有源区材料和波导结构对芯片参数的影响.分析了影响输出功率和相对强度噪声(RIN)的因素,并进行了实验对比.通过对芯片材料结构和...
  • 作者: 朱梓悦 秦海鸿 潘国威 陈迪克
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2021年9期
    页码:  712-718
    摘要: SiC MOSFET分立器件的并联结构已在中大功率应用中广泛使用,为了充分利用并联的优势,需解决并联动态电流不均衡问题.在SiC MOSFET特性参数中,阈值电压是影响并联动态均流特性最主要...
  • 作者: 周威 谭海军 黎燕 王家钰 钟福新
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2021年9期
    页码:  719-724
    摘要: 采用旋涂法与水热法在掺氟二氧化锡(FTO)上制备了Ce掺杂Bi2S3/Fe2O3(Ce-Bi2S3/Fe2O3)异质结,对样品的组成、形貌及其光电性能进行了研究分析.结果 显示,Ce-Bi2...
  • 作者: 乌李瑛 瞿敏妮 沈赟靓 田苗 马玲 王英 程秀兰
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2021年9期
    页码:  725-732
    摘要: 采用等离子体增强原子层沉积(PEALD)技术在单晶硅衬底上成功制备了具有(002)晶面择优取向的氮化铝(AlN)晶态薄膜,为设计新型压电功能器件提供了思路.利用椭圆偏振光谱仪(SE)、原子力...
  • 作者: 武伯贤 杨振涛 高岭 段强 余希猛
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2021年9期
    页码:  733-738
    摘要: 针对陶瓷外壳中影响高频信号传输性能的键合指、传输线、过孔和返回路径平面等结构进行仿真研究,得到了在0~ 20 GHz频带内的最优参数模型.将其应用于某CLGA49陶瓷外壳产品,高频信号传输性...
  • 作者: 周勇 蔡潇雨 魏佳斯
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2021年9期
    页码:  739-743
    摘要: 微纳技术的发展带动了微纳米检测计量仪器的发展,微纳米测量仪器的智能化、集成化和小型化是仪器研发中的共性问题.在白光干涉测量系统中,设计了基于STM32处理器的控制系统,该系统将原本分立的光源...

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

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