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半导体学报(英文版)期刊
出版文献量（篇）
6983
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半导体学报(英文版)

Journal of Semiconductors
曾用名： 半导体学报

CACSCDJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.2430
本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）  全国优秀期刊三等奖（92）  全国优秀期刊三等奖（97） 
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
北京912信箱
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
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目录
  • 1. 深亚微米MOS器件中栅介质层的直接隧穿电流
    作者： 侯永田 李名复 金鹰
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年5期
    页码:  449-454
    摘要： 在WKB近似的理论框架下,提出了一个MOS器件中栅介质层直接隧穿电流的模型.在这个模型中,空穴量子化采用了一种改进的单带有效质量近似方法,这种方法考虑了价带的混合效应.通过与试验结果的对比,...
  • 2. 非掺及掺铁磷化铟中的残留施主缺陷
    作者： C.D.Beling 冯汉源 孙同年 孙聂枫 林兰英 赵有文
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年5期
    页码:  455-458
    摘要： 用辉光放电质谱(GDMS)测量了原生液封直拉(LEC)磷化铟(InP)的杂质含量.利用霍尔效应测到的非掺LEC-InP的自由电子浓度明显高于净施主杂质的浓度.在非掺和掺铁InP中都可以用红外...
  • 3. 选择外延MOCVD研制DFB激光器和模斑转换器集成器件
    作者： 周帆 张静媛 王圩 董杰 邱伟彬
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年5期
    页码:  459-463
    摘要： 研究了利用选择外延生长的InGaAsP材料的厚度增强因子和带隙波长的性质,最大的厚度增强因子为2.9.利用选择外延技术研制的DFB激光器和模斑转换器的集成器件,阈值为10.8mA-在60mA...
  • 4. 激光二极管线列阵与多模光纤列阵的光纤耦合
    作者： 冯小明 刘媛媛 刘斌 张敬明 方高瞻 王仲明 王晓薇 肖建伟 马骁宇
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年5期
    页码:  464-467
    摘要： 利用一段数值孔径(NA)较小的多模光纤作为一个低成本的微透镜,对激光二极管线列阵的大数值孔径方向准直,将激光二极管线列阵的输出光束耦合到多模光纤列阵中.激光二极管线列阵每个发光单元的光分别耦...
  • 5. 1.25Gb/s InP基多量子阱激光器与HBT驱动电路的单片集成
    作者： 刘式墉 徐晓春 敖金平 曾庆明 李献杰 杨树人 柯锡明 梁春广 王志功 赵方海
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年5期
    页码:  468-472
    摘要： 描述了一种基于InP材料沿[011]晶向湿法化学腐蚀形成平滑侧壁实现的InP基多量子阱激光器和异质结双极晶体管驱动电路单片集成.通过一个横向缓冲台面结构,降低了激光器阳极和晶体管集电极互连工...
  • 6. 一种新的基于查找表的时钟性能驱动的增量式布局算法
    作者： Chung-Wen Albert Tsao 刘毅 吴为民 洪先龙 蔡懿慈
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年5期
    页码:  473-478
    摘要： 提出了一种新的时钟性能驱动的增量式布局算法,它针对目前工业界较为流行的标准单元布局,应用查找表模型来计算延迟.由于在布局阶段较早地考虑到时钟信息,可以通过调整单元位置,更有利于后续的有用偏差...
  • 7. 激光致晶态Ge2Sb2Te5相变介质的光学常数
    作者： 刘波 干福熹 阮昊
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年5期
    页码:  479-483
    摘要： 利用椭偏仪和光谱仪研究了结晶程度对Ge2Sb2Te5相变薄膜光学常数的影响.当初始化仪转速固定时,随激光功率的增加,折射率基本随之减小,消光系数逐渐增大,透过率逐渐减小;当激光功率固定时,随...
  • 8. 掺铜ZnS纳米材料的制备及光学性质
    作者： 刘引烽 桑文斌 樊建荣 王灵玲 闵嘉华 陈宗高
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年5期
    页码:  484-487
    摘要： 介绍了在聚乙烯醇衬底中利用离子络合法制备未掺杂和掺铜的 ZnS纳米微粒.TEM图表明ZnS纳米微粒较均匀地分布在PVA衬底上,粒径在1～10nm,且具有类似体材料的立方结构.与未掺杂ZnS相...
  • 9. 激光脉冲沉积法在Si(100)上生长c轴择优取向的LiNbO3晶体薄膜及其性能
    作者： 叶志镇 叶龙飞 汪雷 赵炳辉 黄靖云
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年5期
    页码:  488-491
    摘要： 采用激光脉冲沉积(PLD)法在Si(100)衬底上生长得到了完全c轴择优取向的LiNbO3(LN)薄膜,X射线衍射分析表明LN(006)衍射峰的半峰宽为0.35°.利用棱镜耦合器,激光可以被...
  • 10. a-SiC/c-Si异质结太阳能电池设计分析
    作者： 林鸿生 段开敏 马雷
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年5期
    页码:  492-498
    摘要： 通过应用Scharfetter-Gummel解法数值求解Poisson方程,对热平衡态a-SiC/c-Si异质结太阳能电池进行计算机数值模拟,详细分析不同制备条件下a-SiC/c-Si异质结...
  • 11. 掺杂单壁碳纳米管的电流特性
    作者： 张振华 彭景翠 曾晓英 王健雄 陈小华
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年5期
    页码:  499-504
    摘要： 依据Boltzmann方程及单壁碳纳米管(SWNTs)能量色散关系,对单个掺杂SWNTs(金属型和半导体型)所加偏压、掺杂浓度及管口直径影响输运电流的性质进行数值计算.分析表明,掺杂SWNs...
  • 12. 高线性度外延及注入GaAs Hall器件
    作者： 郑一阳
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年5期
    页码:  505-508
    摘要： 讨论了外延及注入制作的薄层GaAs Hall器件如何获得高的磁线性度.GaAs Hall器件的磁线性度在高磁场下会有偏离,但可以通过外延及注入的过渡层对有源区进行补偿,在合适的有源区和过渡区...
  • 13. 快速响应SOI马赫曾德热光调制器
    作者： 严清峰 余金中 刘忠立 夏金松 房昌水 魏红振
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年5期
    页码:  509-512
    摘要： 给出了Y分支MZI热光调制器的模型,实验研制了基于SOI(silicon-on-insulator)的MZI热光调制器,调制器的消光比为-16.5dB,开关的上升时间为10μs,下降时间为2...
  • 14. 自对准GaInP/GaAs HBT器件
    作者： 刘训春 王润梅 石瑞英 钱永学
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年5期
    页码:  513-516
    摘要： 利用发射极金属掩蔽进行内切腐蚀的方法研制成自对准InGaP/GaAs异质结双极晶体管 (HBT),其特征频率(ft)达到54GHz,最高振荡频率(fmax)达到71GHz,并且,这种方法工艺...
  • 15. 碳化硅混合PiN/Schottky二极管的二维模拟
    作者： 吕红亮 张义门 张玉明 牛新军
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年5期
    页码:  517-522
    摘要： 利用模拟软件MEDICI对碳化硅混合PiN/Schottky二极管(MPS)的输运机理及伏安特性进行了模拟.输运机理的模拟结果表明MPS的工作原理是正向肖特基起主要作用,而反向时PN结使漏电...
  • 16. 基于控阈技术的四值电流型CMOS电路设计
    作者： 任洪波 吴训威 杭国强
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年5期
    页码:  523-528
    摘要： 以开关信号理论为指导,对电流型CMOS电路中如何实现阈值控制进行了研究.建立了实现阈值控制电路的电流传输开关运算.在此基础上,设计了具有阈值控制功能的电流型CMOS四值比较器、全加器及锁存器...
  • 17. 基于共模电平偏移电路新型CMOS低电压满幅度运放设计
    作者： 任俊彦 徐栋麟 林越 许俊
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年5期
    页码:  529-534
    摘要： 针对电源电压为1V甚至更低的应用环境,给出了一种基于共模电平偏移电路的新型rail-to-rail运放结构,相对以往同类电路具有很好的对称性和较高的输入阻抗,并对之进行了详细的讨论.在整个共...
  • 18. 超深亚微米集成电路串扰估计及优化
    作者： 刘庆华 唐璞山
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年5期
    页码:  535-542
    摘要： 采用RLC模型来估计互连线间的耦合噪声并对模拟结果进行分析,在此基础上,提出了几种不同的算法实现了带串扰约束的集成电路布线结果调整.
  • 19. VLSI三维寄生电容提取的层次式h-自适应计算
    作者： 侯劲松 王光辉 王泽毅 陆涛涛
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年5期
    页码:  543-549
    摘要： 在基于直接边界元素法的层次式h-自适应计算中,改进了层次式边界元的自动加密方法,提高了计算可靠性.同时,将基于超收敛恢复技术的误差指示器实现于在常数元基础上叠加层次锥函数的寄生电容自适应计算...
  • 20. 判断瞬态热场快速算法结果正确性的快捷方法
    作者： 张鸿欣
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年5期
    页码:  550-554
    摘要： 分析了时域无条件稳定算法加速计算的原理和由此造成误差的原因,提出并用实验验证了判断步内建模法(MPWT)模拟的瞬态热过程正确性的"终态-起始段-过程曲线稳定性"的快捷方法.模拟的瞬态过程如正...
  • 21. 硅芯片封接用PbO、ZnO、B2O3三元系易熔玻璃特性与封接工艺的关系
    作者： 刘盘阁 姬荣琴 孙以材 孟凡斌 潘国峰
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2002年5期
    页码:  555-559
    摘要： 对淬火态及重熔再凝固态两种粉末进行DSC、红外吸收光谱及X射线衍射谱分析,实验表明,淬火态的软化点低,在500～510℃下完全熔化,有利于芯片的低温封接.重熔再凝固态的熔点高(630℃)、热...

半导体学报(英文版)基本信息

刊名 半导体学报(英文版) 主编 王守武
曾用名 半导体学报
主办单位 中国电子学会和中国科学院半导体研究所  主管单位 中国科学院
出版周期 月刊 语种
eng
ISSN 1674-4926 CN 11-5781/TN
邮编 100083 电子邮箱 jos@semi.ac.cn
电话 010-82304277 网址 www.jos.ac.cn
地址 北京912信箱

半导体学报(英文版)评价信息

该刊被以下数据库收录
期刊荣誉
1. 中科院优秀期刊二等奖（90）
2. 全国优秀期刊三等奖（92）
3. 全国优秀期刊三等奖（97）

半导体学报(英文版)统计分析

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