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半导体学报(英文版)2007年出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年10期页码:摘要： 制备了具有修饰层的有机薄膜场效应晶体管,采用高掺杂Si作为栅极,传统的无机绝缘材料SiO2作为栅绝缘层,有机绝缘材料PMMA或OTS作为修饰层,CuPc作为有源层,Au作为源、漏极.测试结果...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年10期页码:摘要： 对RTD/HEMT串联型共振隧穿三极管进行了设计和研制.测量结果表明:最大电流峰谷比为17.6∶1,棚压对峰值电压调控能力在1.5～7.7范围内,-3dB截止频率为4GHz,此种器件可与HE...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年10期页码:摘要： 运用2×1.7MV串列静电加速器提供的质子束,对MOCVD方法制备的GaInP/GaAs/Ge三结电池进行低能质子辐射效应研究.选质子能量为0.28,0.62和2.80MeV,辐照注量为1×...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年10期页码:摘要： 以蓝色发光材料Liq为主体,以一定的比例掺入黄光染料Rubrene,研制了新型白色有机电致发光器件.调节Rubrene的掺杂比为1.1%时得到近白光器件,色坐标为(0.308,0.347),...
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305. 大功率半导体激光列阵单光纤耦合技术刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年10期页码:摘要： 利用阶梯反射镜整形技术和偏振合束及波长合束技术成功将两只波长为808nm和两只波长为980nm的40W大功率半导体激光器光束进行混合,最后得到输出功率为95.8W、耦合效率为60%的双波长大...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年10期页码:摘要： 通过实验对适用于90nm多晶硅栅刻蚀工艺中过刻蚀阶段等离子体的性质进行了研究分析.实验采用满足200mm硅晶片刻蚀的电感耦合多晶硅刻蚀设备,借助等离子体分析仪器(朗缪尔探针)进行实验数据测定...
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307. 常压射频冷等离子体刻蚀硅的研究刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年10期页码:摘要： 介绍一种新型的常压射频低温冷等离子放电设备,并用该设备进行硅刻蚀的工艺实验.研究了刻蚀硅的速率随等离子体放电功率、气体流量以及衬底温度的变化规律,并得到了最大刻蚀速率为390nm/min.利...
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308. 一种硅四层键合的高对称电容式加速度传感器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年10期页码:摘要： 提出了一种利用体微机械加工技术制作的硅四层键合高对称电容式加速度传感器.采用硅/硅直接键合技术实现中间对称梁质量块结构的制作,然后采用硼硅玻璃软化键合方法完成上、下电极的键合.在完成整体结构...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年10期页码:摘要： 采用单步光刻和湿法腐蚀工艺,低成本快速制作面向高性能蓝光和红光DVD光学头物镜的衍射微透镜.所制微光学结构的表面粗糙度在纳米量级,衍射相位台阶的高度在亚微米量级并可以根据需求灵活调整,通光孔...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年10期页码:摘要： 设计、制作并测试了一种新颖的x轴音叉式微机械陀螺,它以"8悬臂梁-质量块"结构来实现Coriolis力的检测,与常见的单层弹性梁-质量块结构相比,具有更好的模态稳定性;大质量块与薄弹性梁的结...
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311. 单密勒电容补偿的三级误差运放电路刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年10期页码:摘要： 提出了一种新的单密勒电容补偿的低压三级误差运放结构和一种新的零极点补偿方法(DPZC),其利用两个前馈通路产生两个左半平面的零点去补偿运放主通路中的主极点及两个非主极点.运放传输函数的极点位...
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312. 一种高速高精度采样/保持电路刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年10期页码:摘要： 介绍了一种用于12bit,100MS/s流水线模数转换器前端的采样/保持电路的设计.该电路在3V电源电压100MHz采样频率时,输入直到奈奎斯特频率仍能够达到108dB的无杂散动态范围(SF...
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313. 一种磁微执行器Pull-in模型刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年10期页码:摘要： 与静电微执行器类似,磁微执行器中也存在重要的Pull-in失稳问题.对于宏观器件,由于磁芯磁阻可以忽略,所以可以利用电磁类比,得到Pull-in失稳参数.但对于微观器件,磁芯磁阻不可以忽略,...
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314. 多芯片组件基板单探针测试路径的二次优化刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年10期页码:摘要： 基于模拟退火算法给出了一种可用于MCM互连基板单探针测试的二次优化方法,即采用模拟退火算法对启发式算法获得的MCM互连基板单探针测试路径进行二次优化改进.模拟结果显示,所提方法与已有的启发式...
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315. 投稿须知刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年10期页码:摘要：
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 本文描述双极场引晶体管(BiFET)及其理论.把两维晶体管分解成两个一维晶体管,得到解析方程.以表面势为参变量,采用电化(准费米)势梯度驱动力计算电流.提供实用电极直流电压及器件参数范围,随...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 报道了一种利用原子层淀积(ALD)生长超薄(3.5nm)Al2O3为栅介质的高性能AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOS-HEMT).新型AlGaN/GaN MOS-H...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 给出了采用硅外延BCD工艺路线制造的低成本的VDMOS设计,纵向上有效利用17μm厚度的外延层,横向上得到的VDMOS元胞面积为324μm2,工艺上简化为18次光刻,兼容了标准CMOS、双极...
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319. 适合宽范围电容负载的三级运放刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 结合精确度和稳定性的要求提出了一种适合宽范围电容负载的CMOS运放.在多径嵌套式密勒补偿结构中加入一个抑制电容得到适合各种电容负载的稳定性.为了证实稳定性的提高对该结构进行了理论分析并计算得...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 针对超外差接收机的自动增益控制网络,设计了一种结构简单的低压、低功耗全差分可变增益放大器.它由6级子电路级联而成,提供范围为81dB的数字控制增益,每一档为3dB,增益误差小于0.5dB.该...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 提出了一种符合ISO/IEC 18000-6B标准的无源UHF RFID电子标签验证开发平台,其工作在915MHz ISM频带下.该平台有效减少了设计开发时间及成本,并实现了电子标签的快速原...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 借助二次离子质谱法分析了注入的钒离子在碳化硅中的分布.即使经过1650℃的高温退火,钒在碳化硅中的再扩散也不显著.退火并没有导致明显的钒向碳化硅表面扩散形成堆积的现象,由于缺少钒的补偿作用,...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 采用一种新方法对InGaAs/InP复合沟道高电子迁移率晶体管进行了模拟.该方法通过流体力学模型和密度梯度模型的联合求解,得到了沟道内的电子密度分布.与一些传统方法相比,该方法收敛性更好,速...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 提出了一个实现全耗尽与部分耗尽自动转换的体接触SOI LDMOS连续解析表面势模型.采用PSP的精确表面势算法求解SOI器件的表面势方程,得到了解析的以栅压和漏压为变量的SOI器件正、背硅/...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 建立了双栅MOS器件反型层积分电荷Qi的集约模型.该模型考虑了反型层载流子的量子限制效应,使其适用于纳米尺度的器件应用.基于以前关于Ge的研究,通过建立关于Qi的表面势表达式,可得到一个隐含...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 研究了纳米通孔的分布对于表面波方法测量多孔低介电常数薄膜机械特性的影响,提出了用横观各向同性表征周期性多孔介质材料结构特性的表面波传播理论模型,给出了表面波在low-k薄膜/Si基底分层结构...
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327. 准静态单相能量回收逻辑刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 提出了一种新的准静态单相能量回收逻辑,其不同于以往的能量回收逻辑,真正实现了单相功率时钟,且不需要任何额外的辅助控制时钟,不但降低了能耗,更大大简化了时钟树的设计.该逻辑还可以达到两相能量回...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 提出了一种用于20bit ∑-△数模转换器中的内插滤波器的有效实现方法,内插滤波器的过采样率为128.该方法使用多级结构以降低滤波器系数的复杂度和有限字长效应.同时提出了基于系数混合基分解的...
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329. 基于薄外延技术的高压BCD兼容工艺刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 针对高压应用领域,开发了一种基于薄外延技术的高压BCD兼容工艺,实现了900V高压双RESURF LDMOS与低压CMOS,BJT器件的单片集成.与传统厚外延技术相比,工艺中n型外延层的厚度...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年11期页码:摘要： 利用Tersoff势函数,对300K时初始入射动能为0.03eV的单个Si原子从6个不同位置轰击Si(001)2×1重构表面的动力学过程进行了模拟.分析了入射Si原子的动能变化、势能变化以及...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
半导体学报(英文版)统计分析
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