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微电子学2014年出版文献
出版文献量（篇）
3955
总下载数（次）
20
总被引数（次）
21140
微电子学
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本刊是技术类期刊。传播、普及、推广 微电子科学技术知识，介绍国内微电子行业的最新研究成果和国外微电子业界的发展动态。有关微电子学基础理论，微电子器件与电路, 集成电路，半导体工艺和制造技术，集成电路封装技术，多芯片组件技术，集成电路可靠性技术，片上系统，集成系统等领域的研究论文、技术报告、综合评述、产品应用等内容。该刊被重点检索刊物、数据库、期刊网站所收录，是中国核心期刊之一。
主办单位：
四川固体电路研究所
期刊荣誉：
中文核心期刊
信息产业部优秀电子科技期刊
ISSN：
1004-3365
CN：
50-1090/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
400060
地址：
出版文献量（篇）
3955
总下载数（次）
20
总被引数（次）
21140
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刊名： 微电子学发表期刊： 2014年1期页码:摘要： 基于SMIC 0.13 μm CMOS工艺,在3.3 V/1.2 V(模拟/数字)双电源下,设计了一种11位80 MS/s的数/模转换器(DAC).电路采用分段式电流舵结构,高6位为温度计码...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2014年1期页码:摘要： 采用5+7的分段方式,设计了一种12位1 GHz电流舵数模转换器(DAC),分析了电流源版图误差对DAC性能的影响.为了抵消DAC版图的梯度失配误差,提出一种新型随机增减动态元件匹配(DEM...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2014年1期页码:摘要： 提出一种新的ULSI后端设计低功耗流程,重点分析了版图压焊点位置摆放、宏单元位置规划、电源网络布局及物理综合功率优化设计等四项关键技术.采用SMIC 0.18μm 1P6M自对准硅化物CMO...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2014年1期页码:摘要： 提出了一种基于共源共栅及电阻并联反馈结构的超宽带低噪声放大器(LNA).在3～10 GHz的工作频段范围内,采用电阻并联反馈和π型匹配网络结构,实现宽带输入匹配,并有效减小整个电路的噪声系数...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2014年1期页码:摘要： 设计了一种小型化限幅低噪声放大器.采用Lange桥平衡结构,在实现低噪声的同时,得到较小的输入输出电压驻波比.采用集总参数和分布参数元件,实现了各级匹配.该小型化限幅低噪声放大器工作在R波段...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2014年1期页码:摘要： 采用可调谐有源电感复用结构,设计了一款用于3G TD-SCDMA和WLAN的2.4GHz/5.2 GHz双频段低噪声放大器(DB-LNA).2.4 GHz频段电路采用折叠共源共栅(FC)结构...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2014年1期页码:摘要： 介绍了一种用于X射线工业检测的多通道电荷读出IC.该电荷读出IC可提供64个通道,将探测器电荷转换成模拟电压.电路由电荷放大器增益控制、增益电容阵列、时序发生器、移位寄存器链、电荷放大器阵列...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2014年1期页码:摘要： 针对无线人体局域网(WBAN),采用TSMC 0.18 μm CMOS工艺,对3阶单环结构△-∑调制器进行了优化设计和全数字实现.实验结果表明,在△-∑调制器中使用Qn方法实现对浮点小数的定...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2014年1期页码:摘要： 基于0.5μ-m SOI工艺,设计了一种具有抗单粒子效应的锁相环.重点对压控振荡器进行抗辐照加固,采用电流源放大器实现.与普通结构相比,提高了锁相环在辐照环境下的稳定性.该锁相环最高输出频率...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2014年1期页码:摘要： 设计了一种应用于UHF RFID阅读器的恒定调谐增益LC-VCO.VCO采用互补交叉耦合结构实现较高电源利用效率,偏置电路采用电压调节结构有效抑制电源引入的噪声.提出创新的分布式偏置容抗管阵...
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11. 一种高性能宽带LC VCO的设计刊名： 微电子学发表期刊： 2014年1期页码:摘要： 基于TSMC 65 nm CMOS工艺,采用电流偏置型差分负阻结构,设计了一个宽频率覆盖范围(7.6～10.7 GHz)的电感电容谐振压控振荡器(LC VCO).采用差分控制电压方式,减小共...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2014年1期页码:摘要： 提出了一种雪崩光电二极管(APD)阵列读出电路的系统架构.针对2×8盖革模式InGaAs-APD传感器阵列,进行读出电路系统设计,其中的时间数字转换器(TDC)采用游标卡尺二段式结构,将计数...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2014年1期页码:摘要： 共振隧穿二极管作为较为成熟的纳米电子器件,已被广泛应用于高速低功耗电路.由于其具有负内阻特性,单一门电路的功能大大增加,减少了电路的复杂度.在阈值逻辑函数的硬件实现方面,共振隧穿器件也体现出...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2014年1期页码:摘要： 提出了一种用于X/Ku波段相控阵天线系统、带数字控制电路的4位有源移相器.该移相器采用两个相位正交的输入信号的相位内插技术来合成所需要的相位.基于JAZZ 0.18 μmSiGe BiCMO...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2014年1期页码:摘要： 设计了基于ARM,DSP和FPGA多处理器的分时长期演进系统(TD-LTE)移动数字信号基带处理平台.该处理平台能够灵活实现移动通信中基带信号的各种操作,主要功能模块包括协议软件实现、物理层...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2014年1期页码:摘要： 设计了一款具有充放电电容的高性能振荡器.该振荡器基于0.5 μm BCD工艺库,利用Cadence和Hspice软件,在芯片系统典型应用环境下仿真,得到的内同步振荡频率为500 kHz,外部...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2014年1期页码:摘要： 介绍了一种用于高速流水线ADC双沿采样的时钟占空比稳定电路.在传统占空比稳定电路的基础上,增加含连续时间积分器的反馈环路,并设计了时钟周期检测电路,同时可通过SPI配置积分器的参考电压,在片...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2014年1期页码:摘要： 针对单片集成压力传感器输出幅度较小、温度漂移会引起压力精度变化等难题,提出了一种新型的信号调理电路.该电路通过两个差分放大电路和四个D/A转换器来解决单片集成压力传感器的小输出和温度漂移问题...
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19. 集成电路技术和产业发展现状与趋势刊名： 微电子学发表期刊： 2014年1期页码:摘要： 论述了集成电路(IC)产业的技术现状、发展周期、驱动因素以及发展模式变迁,介绍了我国IC技术、产业和政策现状,指出未来IC技术将沿着摩尔定律和超摩尔定律前进.在新兴市场的带动下,IC产业规模...
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20. 超宽带低噪声放大器线性化技术综述刊名： 微电子学发表期刊： 2014年1期页码:摘要： 介绍了四种主要的超宽带低噪声放大器结构,分析了超宽带低噪声放大器主要的非线性来源,阐述了放大器线性化技术原理及研究现状,展望了线性化技术的研究方向.
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刊名： 微电子学发表期刊： 2014年1期页码:摘要： 提出了一种用来提高短沟道MOS管性能的非对称内表面氧化层结构.该结构是在MOS管的源端附近生长一层厚的内表面氧化层,以抑制载流子迁移率的降低,同时,在MOS管的漏端附近生长一层薄的内表面氧化...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2014年1期页码:摘要： 针对SOI功率集成电路,提出一种具有两级非平衡超结的SOI LDMOS高压器件.新结构通过调节超结的掺杂浓度,在漂移区形成两级超结结构.在器件反向耐压时,源端的超结n区被快速耗尽,过剩的p型...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2014年1期页码:摘要： 详细研究了一种基于薄埋氧层及三层顶层硅衬底(Triple-Layer Top Silicon,TLTS)的SOI高压LDMOS器件.该结构在SOI介质层上界面的顶层硅内引入一高浓度n+层,当...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2014年1期页码:摘要： 分析了N沟道VDMOS器件的单粒子辐射损伤机理和损伤模式,讨论了VDMOS器件的单粒子辐射加固措施.使用锎源,对采取了加固措施的一款200V高压N沟道VDMOS器件进行单粒子效应试验研究.对...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2014年1期页码:摘要： 对功率VDMOS源漏间寄生PN结正向结电压VDS随温度变化的特性进行了测量,发现VDS与结温T存在良好的线性关系,通过理论推导进行了分析验证.同时发现,温度系数α=dVDS/ dT与测试电流...
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26. 一种高压集成电容结构的可靠性研究刊名： 微电子学发表期刊： 2014年1期页码:摘要： 针对一种下极板独立的700V高压集成电容,进行了瞬态可靠性研究.研究表明,随着电容下极板尺寸的增加,电容的瞬态可靠性下降.用器件仿真软件MEDICI计算得出,在瞬态电压上升沿为200 ns的...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2014年1期页码:摘要： 提出一种能快速收敛并具有鲁棒性的流水线模数转换器(ADC)数字校准方法.设计的AIDC采用12级1.5位/级MDAC和一个6位高精度SAR ADC的结构.采用Altera FPGA,对该算法...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2014年1期页码:摘要： 为了解决模拟电路故障识别困难的问题,提出一种基于主成分分析和概率神经网络的模拟电路故障诊断方法.该方法对采集到的模拟电路故障信息进行特征提取,将提取的故障特征归一化处理后输入概率神经网络,进...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2014年1期页码:摘要： 通过深入研究高压LDMOS器件内部的物理特性,给出了一个简化LDMOS物理模型.在漂移区,采用解析方法求解漂移区电场微分方程,经过合理假设,利用一种改进算法得到漂移区的电压降,在保证模型一定...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2014年1期页码:摘要： 阐述了一种测试功率MOSFET热阻的新方法.该方法选取漏源电流作为温度敏感参数,在相同漏源电压和栅源电压幅度下,当栅源电压条件由直流形式变为脉冲形式时,漏源电流是有差异的,这一差异是由结温的...
微电子学基本信息
| 刊名 | 微电子学 | 主编 | 武俊齐 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 四川固体电路研究所 | 主管单位 | 中国电子科技集团公司 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1004-3365 | CN | 50-1090/TN |
| 邮编 | 400060 | 电子邮箱 | wdzx@sisc.com.cn |
| 电话 | 023-62834360 | 网址 | wdzx.sisc.com.cn |
| 地址 | 重庆市南坪花园路14号24所 |
微电子学评价信息
该刊被以下数据库收录
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| 2. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 3. | 文摘杂志(俄) |
| 4. | 科学文摘(英) |
| 5. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中文核心期刊 |
| 2. | 信息产业部优秀电子科技期刊 |
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