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微电子学2018年第1期出版文献
出版文献量（篇）
3955
总下载数（次）
20
总被引数（次）
21140
微电子学
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本刊是技术类期刊。传播、普及、推广 微电子科学技术知识，介绍国内微电子行业的最新研究成果和国外微电子业界的发展动态。有关微电子学基础理论，微电子器件与电路, 集成电路，半导体工艺和制造技术，集成电路封装技术，多芯片组件技术，集成电路可靠性技术，片上系统，集成系统等领域的研究论文、技术报告、综合评述、产品应用等内容。该刊被重点检索刊物、数据库、期刊网站所收录，是中国核心期刊之一。
主办单位：
四川固体电路研究所
期刊荣誉：
中文核心期刊
信息产业部优秀电子科技期刊
ISSN：
1004-3365
CN：
50-1090/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
400060
地址：
出版文献量（篇）
3955
总下载数（次）
20
总被引数（次）
21140
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年1期页码:摘要： 基于55 nm CMOS工艺,设计了一种宽频带高速锁相环(PLL).PLL中的压控振荡器(VCO)采用8位开关电容阵列和变容管阵列,实现了对VCO振荡频率的调节和不同频段之间的切换.VCO采...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年1期页码:摘要： 基于SMIC 65 nm CMOS工艺,设计了一种带曲率补偿的低压高电源抑制比(PSRR)带隙基准电压源.采用带曲率补偿的电流模结构,使输出基准电压源低于1.2V且具有低温漂系数.在基本的带...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年1期页码:摘要： 介绍了一种基于0.6 μm BiCMOS工艺的高阶曲率补偿、高电源抑制比的带隙基准源.利用三极管电流增益的温度特性来实现低温度系数,并且不需要额外的电路.采用一种新颖的电压预调整器来实现高电...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年1期页码:摘要： 为了满足短距离无线高速传输的应用需求,基于SMIC 90 nm 1P9M CMOS工艺,设计了一种可工作在60 GHz的功率放大器(PA).该PA为单端三级级联结构.采用顶层金属方法,设计具...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年1期页码:摘要： 采用修改的多模谐振器(MMR)结构,在输入端与输出端开槽形成交叉耦合,实现了一种结构紧凑、频率选择性较高的超宽带(UWB)带通滤波器.修改的多模谐振器能产生5个模式和2个在高低截止频率附近的...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年1期页码:摘要： 设计了一种用于高压Boost电路的电流采样电路.利用SenseFET采样原理,设计了高增益、大带宽的源极输入共源共栅运放,保证了采样电路的高采样精度和快响应速度.设计了延时单元,只在功率管开...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年1期页码:摘要： 现有的大部分峰值检测VLSI都是基于基-2的树结构,性能较低,还会消耗大量的芯片资源.针对此不足,提出一种高性能多重峰值检测VLSI.该峰值检测VLSI可在大量数据中找到N个峰值,并输出峰值...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年1期页码:摘要： 基于GF 65 nm CMOS工艺,实现了一种宽锁定范围的毫米波注入锁定(IL)分频器.采用电流复用前置放大器和双端混频,有效扩大了分频器的锁定范围,并且不产生额外的功耗.电路仿真结果表明,...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年1期页码:摘要： 面向人体介质通信领域,设计了一种基于0.18 μm CMOS工艺的接收模拟前端电路.采用有源电感零极点补偿技术,在保证电路噪声性能与增益的同时,有效拓展了电路线性带宽;通过在调整型共源共栅结...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年1期页码:摘要： 基于0.35 μm CMOS混合信号工艺,实现了一种用于ESD保护的MDDSCR器件.通过堆叠MDDSCR单元来调整维持电压,结合TLP测试结果,说明了关键尺寸和不同的衬底连接方式对器件特性...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年1期页码:摘要： 超高频射频识别(UHF RFID)电子标签的低功耗设计是当前的研究热点与难点.数字基带部分的功耗占芯片总功耗的40％以上,而时钟模块的功耗约为基带部分的50％.针对此问题,设计了一种兼容EP...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年1期页码:摘要： 采用0.18 μm 1.8 V/3.3 V CMOS工艺,设计了一种应用于微弱能量收集系统的超低压自启动电路.采用LC振荡电路产生2个高频高幅度的时钟信号,将4级交叉耦合电荷泵串联在一起作为...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年1期页码:摘要： ESD保护电路是保证集成电路可靠性的重要电路之一.具有较大芯片面积和较多电源域的集成电路给全芯片ESD保护电路的设计带来挑战.基于0.6μm CMOS工艺,设计了一种全芯片ESD保护电路,应...
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14. 一种低功耗时钟源IP的设计刊名： 微电子学发表期刊： 2018年1期页码:摘要： 基于SMIC 40 nm CMOS工艺,采用锁相环(PLL)设计了一种低功耗时钟源IP.提出的环路参数校准技术保证PLL在整个输出频率范围内稳定.采用电容倍乘技术减小环路滤波器占用的面积.采...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年1期页码:摘要： 设计了一种适用于无源超高频射频识别(UHF RFID)芯片的超低功耗上电复位电路.对上电检测电路输出信号及该信号的延迟信号进行相与操作,并对RFID芯片的异常掉电情况进行了优化,最终生成复位...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年1期页码:摘要： 基于SMIC 40 nm CMOS工艺,提出了一种用于背板互连的10 Gbit/s I/O接口电路.该接口电路由前馈均衡器(FFE)、接收机前端放大器和判决反馈均衡器(DFE)组成.FFE对...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年1期页码:摘要： 采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种符合多种协议要求的UHF RFID阅读器发射机.该电路包含电平移位电路(DCS)、I/Q正交上混频器、全集成功率放大器.通过DCS控制...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年1期页码:摘要： 设计了一种快速瞬态响应的无片外电容型LDO.采用高增益高带宽的超级跨导结构(STC)的误差放大器,利用动态偏置技术与电容耦合技术,极大地增强了摆率.引入额外的快速响应环路,进一步提升了瞬态响...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年1期页码:摘要： 提出了一种基于电流舵DAC的SDR校正技术.首先采用拆分电流源的方法,增加了待校正电流源的个数.然后采用动态组合的方式,减小了电流源的失配误差,提高了DAC的静态与动态性能.与DMM校正技术...
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20. 低频高功率振动能量采集器研究进展刊名： 微电子学发表期刊： 2018年1期页码:摘要： 从振动能量采集器的低频、高功率特点出发,分析了电磁式、磁电式、静电式、压电式这四种结构的优缺点.详细介绍了这些振动能量采集器的发展现状与趋势,并比较了它们的性能与实用性.压电式振动能量采集器...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年1期页码:摘要： 基于45 nm PTM模型,采用Hspice对基本逻辑门进行了仿真,并使用Matlab对仿真数据进行了三维延迟曲面拟合.在这些仿真基础上,建立了关于输入信号翻转时间ti、输出负载电容CL、阈...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年1期页码:摘要： 对UHF RFID阈值补偿型整流电路中的电流和电压变化情况进行分析.通过采用将电流波形近似为三角形的方法,提出了阈值补偿型整流电路的模型.基于SMIC 0.18 μm工艺,设计了一种适用于U...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年1期页码:摘要： 针对模拟电路故障识别与诊断问题,提出了一种基于K最近邻的一对一SVM分类器(KNN-OSVM)的故障诊断方法.将K最近邻算法与用网格搜索法优化后的一对一SVM模型相结合,建立KNN-OSVM...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年1期页码:摘要： 空间高能质子作用于电荷耦合器件(CCD)产生的热像素是空间成像系统性能退化的主要原因之一.为深入认识质子辐射导致CCD产生热像素的规律和机制,对行间转移CCD进行了不同能量(3,10,23 ...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年1期页码:摘要： 对国产先进互补双极工艺制作的双多晶自对准(DPSA)结构的NPN管进行了高、低剂量率的60Co-γ源辐射实验.在总剂量辐射前后以及室温退火后,分别采用移位测试方法,研究了基极电流、集电极电流...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年1期页码:摘要： 为了研究总剂量辐射对纳米MOS晶体管热载流子效应的影响,对65 nm体硅工艺的NMOS器件进行了总剂量辐射和热载流子试验,对比了辐射前后不同宽长比器件的跨导、栅极泄漏电流、线性饱和电流等电参...
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27. 硅纳米线的制备与热氧化处理刊名： 微电子学发表期刊： 2018年1期页码:摘要： 采用金属催化化学腐蚀法制备硅纳米线(SiNW),并进行热氧化处理.制备的硅纳米线的线径减小.研究了热氧化处理对硅纳米线线径的影响.利用光电显微镜和扫描电子显微镜(SEM)观察实验结果,刻蚀后...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2018年1期页码:摘要： 介绍了一种65 nm双阱CMOS工艺设计的六管SRAM单元的抗辐射性能.通过三维有限元数值模拟的方法,分析了SRAM单元的单粒子瞬态效应在NMOS管中的电荷收集过程和瞬态脉冲电流的组成部分,...
微电子学基本信息
| 刊名 | 微电子学 | 主编 | 武俊齐 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 四川固体电路研究所 | 主管单位 | 中国电子科技集团公司 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1004-3365 | CN | 50-1090/TN |
| 邮编 | 400060 | 电子邮箱 | wdzx@sisc.com.cn |
| 电话 | 023-62834360 | 网址 | wdzx.sisc.com.cn |
| 地址 | 重庆市南坪花园路14号24所 |
微电子学评价信息
该刊被以下数据库收录
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| 2. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 3. | 文摘杂志(俄) |
| 4. | 科学文摘(英) |
| 5. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中文核心期刊 |
| 2. | 信息产业部优秀电子科技期刊 |
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