总剂量辐射对65nm NMOSFET热载流子敏感参数的影响

• 作者: 余学峰 周航 孙静 崔江维 苏丹丹 郑齐文 郭旗 马腾 魏莹
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 65 nm NMOSFET 总剂量效应 热载流子效应
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体器件与工艺
• 页码范围: 126-130
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 3416字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13911/j.cnki.1004-3365.170138

摘要

为了研究总剂量辐射对纳米MOS晶体管热载流子效应的影响,对65 nm体硅工艺的NMOS器件进行了总剂量辐射和热载流子试验,对比了辐射前后不同宽长比器件的跨导、栅极泄漏电流、线性饱和电流等电参数.结果表明,MOS器件的沟道宽度越窄,热载流子效应受辐射的影响越显著,总剂量辐射后热载流子效应对器件的损伤增强.分析认为,辐射在STI中引入的陷阱电荷是导致以上现象的主要原因.该研究结果为辐射环境下器件的可靠性评估提供了依据.