GaAs粒子探测器的能谱特性

• 作者: 史常忻 李澄 邵传芬 陈宏芳
• 来源期刊: 固体电子学研究与进展
• 学科: 工学
• 关键词: 能谱 砷化镓 探测器
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 页码范围: 200-205
• 页数: 6页
• 分类号: TN311.7
• 字数: 2567字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3819.2000.02.011

摘要

阐述了具有M-S-M结构的GaAs粒子探测器在α、β粒子、光子、X射线辐照下,在室温时测得的能谱特性.对241Am 5.48 MeV的α粒子,其电荷收集率(CCE)和能量分辨率(FWHM)的最好结果分别为45%和7%.对57Co 122 keV的X射线能量分辨率约为30%.该探测器对90Sr2.27 MeV的β粒子有最小的电离粒子谱.探测器在累积照射量为13 kGy的光子137Cs(662 keV)辐照下,辐照前后的电荷收集率无明显变化.诸多实验结果表明,该探测器具有较强的抗辐射能力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邵传芬	上海交通大学微电子技术研究所	5	9	2.0	2.0
2	史常忻	上海交通大学微电子技术研究所	6	9	2.0	2.0
3	李澄	中国科技大学近代物理系	4	12	2.0	3.0
4	陈宏芳	中国科技大学近代物理系	3	3	1.0	1.0