GAT的优化设计分析

• 作者: 庄宝煌 李开航 黄美纯
• 来源期刊: 固体电子学研究与进展
• 学科: 工学
• 关键词: 功率器件 联栅晶体管 优化设计
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 页码范围: 29-36
• 页数: 8页
• 分类号: TN323.4
• 字数: 4591字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3819.2001.01.006

摘要

通过作者最近建立的关于电力半导体器件GAT的集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型即《GAT栅屏蔽效应二维解析模型》、《GAT实现高频率与高基区穿通电压兼容特性分析》以及《GAT实现高电流增益与高雪崩击穿电压兼容特性分析》，定量研究了优化设计GAT的材料参数和结构参数的关系。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	庄宝煌	厦门大学物理学系	8	13	2.0	3.0
2	黄美纯	厦门大学物理学系	35	129	7.0	8.0
3	李开航	厦门大学物理学系	31	74	5.0	6.0