VLSI用低介电常数含氟碳膜研究

• 作者: 刘雄飞 李幼真 肖剑荣
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: PECVD 沉积速率 含氟碳膜 介电常数
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 28-29，32
• 页数: 3页
• 分类号: TM215.3
• 字数: 2453字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2003.01.010

摘要

用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法制备了不同工艺条件下的含氟碳膜.测量了薄膜的厚度和介电常数,并用傅立叶红外光谱分析了薄膜化学结构,发现薄膜成分和介电性与沉积工艺密切相关,对薄膜的SEM分析表明所得薄膜均匀致密.控制适当的工艺条件,可沉积理想的超大规模集成电路(VLSI)用钝化膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘雄飞	中南大学物理科学与技术学院	63	517	13.0	21.0
2	肖剑荣	中南大学物理科学与技术学院	23	103	6.0	8.0
3	李幼真	中南大学物理科学与技术学院	23	128	7.0	10.0