常压MOCD生长的ZnO薄膜的电学性能

• 作者: 周鹏 戴江南 方文卿 江风益 王立 蒲勇
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO MOCVD 迁移率 载流子浓度
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 502-507
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 3768字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.03.015

摘要

利用常压MOCVD法在蓝宝石(0001)衬底上沉积了非故意掺杂ZnO单晶薄膜.用Van der Pauw法测量了其从15K到室温的载流子浓度和霍耳迁移率,并用双层结构单施主模型对载流子浓度和迁移率进行了拟合分析.研究表明:ZnO薄膜浅施主能级为20.4meV,温度较低时,以电离杂质散射为主,温度较高时,以极性光学波散射为主.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	方文卿	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	23	200	8.0	13.0
2	王立	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	48	324	10.0	14.0
3	江风益	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	60	527	12.0	19.0
4	戴江南	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	10	86	5.0	9.0
5	蒲勇	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	15	108	6.0	10.0
6	周鹏	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	17	1087	13.0	17.0