IC制备中钨插塞CMP技术的研究

• 作者: 刘玉岭 周建伟 尹睿 李薇薇
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 钨 化学机械全局平面化 抛光浆料 碱性
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 制造技术
• 页码范围: 26-28,22
• 页数: 4页
• 分类号: TN405
• 字数: 3293字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2006.01.009

摘要

对目前超大规模集成电路钨插塞化学机械全局平面化(CMP)的原理及工艺进行了分析,对钨抛光浆料的组成成分进行了研究,开发了一种能够适合工业生产的钨的碱性抛光浆料,并对钨抛光浆料今后的发展进行了展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学微电子研究所	263	1540	17.0	22.0
2	李薇薇	河北工业大学微电子研究所	27	172	8.0	10.0
3	周建伟	河北工业大学微电子研究所	40	197	8.0	11.0
4	尹睿	河北工业大学微电子研究所	2	16	2.0	2.0