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摘要:
随着半导体技术的不断发展,集成电路的线宽在不断减小,对硅抛光片表面质量的要求也越来越高,传统的RAC清洗方法已不能满足其需求,因此,必须发展新的清洗方法.本文对传统的RCA清洗方法进行了简单的介绍,分析了其中的不足之处,在此基础上,对新发展的HF/O3槽式清洗法和HF/O3单片清洗法进行了详细的说明,从而对300mm硅片清洗方法的未来发展方向进行了简单论述.
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文献信息
篇名 HF/O3在300mm硅片清洗中的应用
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词 硅片 RCA清洗 兆声波 HF/O3
年,卷(期) 2006,(2) 所属期刊栏目 制造技术
研究方向 页码范围 108-111
页数 4页 分类号 TN305.97
字数 3091字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1003-353X.2006.02.009
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 闫志瑞 5 83 3.0 5.0
2 刘红艳 3 78 2.0 3.0
3 李俊峰 2 22 2.0 2.0
4 张静 1 16 1.0 1.0
5 李莉 3 23 2.0 3.0
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研究主题发展历程
节点文献
硅片
RCA清洗
兆声波
HF/O3
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
半导体技术
月刊
1003-353X
13-1109/TN
大16开
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18-65
1976
chi
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