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摘要:
介绍一种简单而有效的提高集成电路稳定性的电路补偿方法.当电路制造过程中的工艺参数、工作电压或工作温度发生变化时,根据仿真结果,该方法可以使MOS晶体管跨导的标准差比未经补偿的电路降低41.4%.这种电路可以用于CMOS LC振荡器中.
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文献信息
篇名 用于降低CMOS集成电路中晶体管跨导标准差的偏置电流补偿电路
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 CMOS 跨导 集成电路 晶体管
年,卷(期) 2006,(5) 所属期刊栏目 研究快报
研究方向 页码范围 783-786
页数 4页 分类号 TN386.1
字数 2269字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.05.005
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 杨华中 清华大学电子工程系 92 500 13.0 16.0
2 汪蕙 清华大学电子工程系 38 398 11.0 19.0
3 冒小建 清华大学电子工程系 2 5 1.0 2.0
传播情况
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2015(1)
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研究主题发展历程
节点文献
CMOS
跨导
集成电路
晶体管
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
6983
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8
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35317
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