GaAs基共振隧穿二极管的研究

• 作者: 商耀辉 张磊 杨瑞霞 武一宾 高金环
• 来源期刊: 电子工艺技术
• 学科: 工学
• 关键词: RTD 光致荧光 MBE
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: SMT/PCB
• 页码范围: 31-33,37
• 页数: 4页
• 分类号: TN3
• 字数: 2110字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-3474.2007.01.009

摘要

对GaAs基共振隧穿二极管(RTD)进行了研究,首先用分子束外延(MBE)方法进行AlAs/GaAs/InGaAs双势垒单势阱材料结构的生长.接着用常温光致荧光(PL)方法对结构材料进行了测试分析,其结果显示,较好的外延结构材料的PL谱线半峰宽达到62.6 nm.最后通过制成RTD器件对材料进行验证,器件测试结果表现出良好的直流特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨瑞霞		180	759	13.0	18.0
2	武一宾	中国电子科技集团公司第十三研究所	19	39	4.0	4.0
3	张磊		98	368	12.0	15.0
4	商耀辉	中国电子科技集团公司第十三研究所	14	20	2.0	2.0
5	高金环		3	6	2.0	2.0