集成电路Cu互连线的XRD研究

• 作者: 张卫 张立锋 徐赛生 曾磊 汪礼康 顾晓清
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 铜互连 X射线衍射 织构系数 择优取向 添加剂
• 年，卷（期）: 2008,（11）
• 所属期刊栏目: 工艺技术与材料
• 页码范围: 985-987
• 页数: 3页
• 分类号: TN405.97
• 字数: 2139字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.11.012

摘要

对硫酸盐体系中电镀得到的Cu镀层,使用XBD研究不同电沉积条件、不同衬底和不同厚度镀层的织构情况和择优取向.对比了直流电镀和脉冲电镀在有添加剂和无添加剂条件下的织构情况.实验结果表明,对于在各种条件下获得的1 μm Cu镀层,均呈现(111)晶面择优,这样的镀层在集成电路Cu互连线中有较好的抗电迁移性能.