VB-GaAs晶片翘曲度的控制方法

• 作者: 于妍 吕菲 宋晶 秦学敏 赵权
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 垂直布里奇曼法生长的砷化镓 翘曲度 化学腐蚀 光泽度
• 年，卷（期）: 2008,（11）
• 所属期刊栏目: 工艺技术与材料
• 页码范围: 1000-1002
• 页数: 3页
• 分类号: TN604
• 字数: 2348字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.11.016

摘要

介绍了一种用化学腐蚀进一步降低VB-GaAs晶片翘曲度的方法.通过控制腐蚀液的配比、温度、时间等参数,显著改善了晶片翘曲度.经过腐蚀的切片、研磨片在检验时易于发现裂纹等缺陷,降低了后续工序中的碎片率,综合加工成品率有了明显提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕菲	中国电子科技集团公司第四十六研究所	24	88	6.0	8.0
2	赵权	中国电子科技集团公司第四十六研究所	30	136	6.0	9.0
3	于妍	中国电子科技集团公司第四十六研究所	8	39	3.0	6.0
4	秦学敏	中国电子科技集团公司第四十六研究所	4	11	2.0	3.0
5	宋晶	中国电子科技集团公司第四十六研究所	8	17	3.0	3.0