Cu/Ta/SiO2/Si薄膜在纳米压痕下的分层现象研究

• 作者: Shen Weidian 卢茜 吴子景 吴晓京 蒋宾
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: Cu/Ta薄膜 纳米压痕 分层
• 年，卷（期）: 2008,（9）
• 所属期刊栏目: 工艺技术与材料
• 页码范围: 787-790
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.55
• 字数: 1692字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.09.014

摘要

采用磁控溅射技术在热氧化单晶硅衬底上先后淀积了厚度分别为50nm的Ta膜和400 nm的Cu膜.使用纳米压入仪在样品表面进行压入测试,在薄膜表面制造出残留压痕.使用扫描电镜(SEM)、聚焦离子束(FIB)、透射电镜(TEM)和X射线能谱仪(EDX)对残留压痕形貌、剖面上的分层现象进行观察,确定分层所在的位置.发现在69 mN的最大载荷作用后,在TA/SiO2界面处发生分层.分层的原因主要归结为在应力作用下,多层膜中各种材料的应变、弹性恢复能力不同.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴子景	复旦大学材料科学系	6	46	3.0	6.0
2	蒋宾		4	45	3.0	4.0
3	卢茜	复旦大学材料科学系	5	7	1.0	2.0