表面处理与离子注入对GaN HEMT肖特基特性的影响

• 作者: 冯志宏 冯震 宋建博 张志国 杨克武 杨瑞霞 王勇
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 表面处理 离子注入 泄漏电流 理想因子 肖特基特性
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 器件制造与应用
• 页码范围: 59-61
• 页数: 3页
• 分类号: TN386.3
• 字数: 2244字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.01.015

摘要

研究了不同的表面处理方法及离子注入对AlGaN/GaN HEMT肖特基特性的影响.在栅金属化前,采用不同的表面处理方法进行实验,发现通过表面处理,栅肖特基特性得到一定的改善,但还不能从根本上解决漏电大、理想因子偏高的问题.进一步实验发现,硼离子注入才是导致栅肖特基特性变差的主要因素,通过对离子注入的优化,器件栅金属化后的理想因子减小到1.6,栅源反向电压为-20 V时,反向泄漏电流为2.8×10-6 A.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨瑞霞	河北工业大学信息工程学院	180	759	13.0	18.0
2	冯震	中国电子科技集团公司第十三研究所	12	32	3.0	5.0
3	王勇	中国电子科技集团公司第十三研究所	53	98	6.0	7.0
4	宋建博	河北工业大学信息工程学院	5	8	2.0	2.0
6	冯志宏	中国电子科技集团公司第十三研究所	6	10	1.0	3.0
9	张志国		1	1	1.0	1.0