GaN基LED外延材料缺陷对其器件可靠性的影响

• 作者: 蔡伟智
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 发光二极管 金属有机气相外延 回摆曲线 缺陷 可靠性
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 封装、测试与设备
• 页码范围: 270-274
• 页数: 5页
• 分类号: TN312.4|TN304
• 字数: 2774字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2009.03.019

摘要

采用X光双晶衍射仪分析了GaN基发光二极管外延材料晶体结构质量并制成GaN-LED芯片,对分组抽取特定区域芯片封装成的GaN-LED器件进行可靠性试验.对比分析表明,外延晶片中的微缺陷与器件可靠性的关系密切;减少外延晶片中的微缺陷密度有利于提高LED器件的可靠性.通过建立从外延片晶体结构质量、芯片光电参数分布到器件可靠性的分析实验方法,为GaN-LED外延材料生长工艺的优化和改善提供依据,达到预测和提高器件可靠性的目的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡伟智		9	38	5.0	5.0