掺杂VO2薄膜的制备及其光电性质

• 作者: 冯浩 崔敬忠 李冠斌 杨子健 杨建红 杨爱国
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 二氧化钒薄膜 磁控共溅射 掺杂 光电特性 能带
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 技术专栏(新型半导体材料)
• 页码范围: 165-167,188
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 2210字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2009.02.016

摘要

以石英片为基底,采用直流/射频磁控共溅射法制备了掺A、掺Ti的V02薄膜.对所制样品进行了电阻-温度关系、原子力显微镜、透射光谱等光电性能测试.结果分析表明,Al元素可以提高薄膜相变温度及Ti元素可以有效提高相变前后电阻率变化幅度,并且用半导体能带理论对VO2薄膜光电性质改变的原因及掺杂对其造成的影响予以解释,提出了影响相变滞豫的原因及改善方法.最后对磁控共溅射沉积方法制备掺杂薄膜的工艺方法提出了改进.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨子健	兰州大学物理科学与技术学院	5	23	3.0	4.0
2	杨建红	兰州大学物理科学与技术学院	44	143	6.0	9.0
3	冯浩		6	26	4.0	5.0
4	崔敬忠		15	208	8.0	14.0
5	杨爱国	兰州大学物理科学与技术学院	3	17	3.0	3.0
6	李冠斌		5	36	4.0	5.0