锑化物半导体材料与器件应用研究进展

• 作者: 刘超 曾一平
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 锑化物半导体 红外激光器 红外探测器 集成电路 能带结构 功能器件
• 年，卷（期）: 2009,（6）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望
• 页码范围: 525-530
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.2|TN36
• 字数: 6218字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2009.06.002

摘要

窄禁带的锑化物半导体材料近年来被国际上公认为第三代超高速、超低功耗集成电路和第三代焦平面阵列红外探测器的首选材料体系.概述了它们独特的能带结构和物理特性及其为各种新型功能器件的研发提供的极大发展空间,指出该材料成为美国、日本、德国、以色列等发达国家竞相开展研究的热点领域.概要介绍了锑化物半导体材料的制备工艺、存在的问题和器件应用的一些最新成果,给出了今后该领域的发展趋势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘超		1	13	1.0	1.0
2	曾一平		2	16	2.0	2.0