直流磁控溅射工艺参数对掺钨氧化铟透明导电薄膜性能影响的研究

• 作者: 张群 李喜峰 李桂锋 杨铭
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: 掺钨氧化铟(IWO) 直流磁控溅射 透明导电氧化物(TCO)
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 页码范围: 1-4
• 分类号: O484.4|TB43
• 字数: 3360字
• 语种: 中文

摘要

采用直流磁控溅射法制备了掺钨氧化铟(IWO)透明导电薄膜.研究了薄膜结构、表面形貌、光学和电学性能与各种制备参数之间的依赖关系.X射线衍射(XRD)谱分析结果表明随着基底温度的升高,薄膜的结晶性得到改善.原子力显微镜(AFM)测试结果表明薄膜颗粒均匀,表面平整.研究发现薄膜的电学性能对制备参数非常敏感.在基板温度为380℃的条件下所制备的样品在可见光区域(400～700 nm)的平均透射率(未扣除基底)均大于80%.获得的IWO薄膜最低电阻率为2.8×10-4 ohm·cm,对应载流子迁移率49 cm2V-1s-1,载流子浓度4.4×1020 cm-3,平均透射率83%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张群	复旦大学材料科学系	110	917	15.0	24.0
2	李桂锋	复旦大学材料科学系	7	25	3.0	4.0
3	李喜峰	复旦大学材料科学系	6	45	3.0	6.0
4	杨铭	复旦大学材料科学系	15	116	5.0	10.0